Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 13

APT30D100BCAG

Част запас: 4419

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 18A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

Част запас: 7652

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 17A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

Част запас: 647

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 60A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

Част запас: 910

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

Част запас: 4083

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

Част запас: 4104

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

Част запас: 4162

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 30A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

Част запас: 1523

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 20A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

Част запас: 4122

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 90A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 90A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

Част запас: 3952

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 36A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

Част запас: 2369

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

Част запас: 952

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 40A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

Част запас: 777

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 50A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

Част запас: 3868

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

Част запас: 3871

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

Част запас: 3895

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

Част запас: 3885

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

Част запас: 4438

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.3V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

Част запас: 3858

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 40A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

Част запас: 6132

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 4V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

Част запас: 3860

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

Част запас: 4074

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

Част запас: 3544

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

Част запас: 3886

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

Част запас: 4128

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

Част запас: 4064

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

Част запас: 3857

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

Част запас: 2926

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X100D20J

Част запас: 2701

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT15S20KCTG

Част запас: 3861

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 830mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT2X100D120J

Част запас: 2138

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 93A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT15S20BCTG

Част запас: 3837

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 830mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT15DS60BG

Част запас: 7305

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 13A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 4V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT15D60BCAG

Част запас: 3892

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 14A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT15DQ120BCTG

Част запас: 3827

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.3V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APT15D120BCTG

Част запас: 3855

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания