Транзистори - FET, MOSFET - масиви

2N7002VA

Част запас: 174411

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

2N7002V

Част запас: 169832

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 280mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

2N7002DW

Част запас: 155725

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 115mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

NVMFD5485NLWFT1G

Част запас: 81328

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EFC6604R-TR

Част запас: 146764

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTMFD5C446NLT1G

Част запас: 65

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Ta), 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA,

NTZD3155CT1G

Част запас: 120582

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMD8900

Част запас: 75697

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19A, 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EFC6605R-V-TR

Част запас: 166880

VEC2415-TL-W-Z

Част запас: 88

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDMC6890NZ

Част запас: 169827

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

SI4542DY

Част запас: 41210

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTZD3154NT5G

Част запас: 195594

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTGD3148NT1G

Част запас: 137924

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8935

Част запас: 118941

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5877NLT3G

Част запас: 193353

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMD84100

Част запас: 50072

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS3890

Част запас: 94529

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

NVMFD5853NT1G

Част запас: 93756

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

NTMFD5C680NLT1G

Част запас: 134

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA,

VEC2315-TL-W

Част запас: 104072

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NVMFD5C466NT1G

Част запас: 202

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

ECH8659-TL-W

Част запас: 134439

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDMD8540L

Част запас: 32944

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A, 156A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8667-TL-H

Част запас: 184233

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 2.5A, 10V,

NVMFD5C668NLWFT1G

Част запас: 150

NVMFD5C650NLT1G

Част запас: 53

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 98µA,

MCH6664-TL-W

Част запас: 105892

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325 mOhm @ 800mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

STZD3155CT1G

Част запас: 125221

EFC4619R-TR

Част запас: 178337

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDMD82100

Част запас: 51947

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS4501H

Част запас: 130119

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.3A, 5.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5489NLWFT1G

Част запас: 87425

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMC7200

Част запас: 104070

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C462NT1G

Част запас: 57

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17.6A (Ta), 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

NVMFD5C462NWFT1G

Част запас: 119