Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
15C01C-TB-E
ON Semiconductor

15C01C-TB-E

Част запас: 132125

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Списък с желания
12A02CH-TL-E
ON Semiconductor

12A02CH-TL-E

Част запас: 166577

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Списък с желания
15C02MH-TL-E
ON Semiconductor

15C02MH-TL-E

Част запас: 190997

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Списък с желания
12A02MH-TL-E
ON Semiconductor

12A02MH-TL-E

Част запас: 102598

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Списък с желания
15C02CH-TL-E
ON Semiconductor

15C02CH-TL-E

Част запас: 144964

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Списък с желания
15C01SS-TL-E
ON Semiconductor

15C01SS-TL-E

Част запас: 155356

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Списък с желания
15C01M-TL-E
ON Semiconductor

15C01M-TL-E

Част запас: 140846

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Списък с желания
2N5038G
ON Semiconductor

2N5038G

Част запас: 7620

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 90V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V,

Списък с желания
2N6341G
ON Semiconductor

2N6341G

Част запас: 6139

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V,

Списък с желания
2N5684G
ON Semiconductor

2N5684G

Част запас: 7987

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V,

Списък с желания
2SB1202T-E
ON Semiconductor

2SB1202T-E

Част запас: 150433

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
2SB817C-1E
ON Semiconductor

2SB817C-1E

Част запас: 24451

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 140V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Списък с желания
2N5883G
ON Semiconductor

2N5883G

Част запас: 17760

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

Списък с желания
2SC5658M3T5G
ON Semiconductor

2SC5658M3T5G

Част запас: 165547

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Списък с желания
2SC5706-TL-E
ON Semiconductor

2SC5706-TL-E

Част запас: 193807

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
2SB815-7-TB-E
ON Semiconductor

2SB815-7-TB-E

Част запас: 148429

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

Списък с желания
2N4403TF
ON Semiconductor

2N4403TF

Част запас: 165392

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания
2SD1623S-TD-E
ON Semiconductor

2SD1623S-TD-E

Част запас: 167700

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
2SC3646S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3646S-TD-E

Част запас: 157334

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SC4027S-TL-H
ON Semiconductor

2SC4027S-TL-H

Част запас: 134234

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SA1417S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1417S-TD-E

Част запас: 124066

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SC3647S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3647S-TD-E

Част запас: 188767

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SC4027S-TL-E
ON Semiconductor

2SC4027S-TL-E

Част запас: 130800

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SC3649S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3649S-TD-E

Част запас: 144860

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SD1815S-TL-E
ON Semiconductor

2SD1815S-TL-E

Част запас: 193808

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V,

Списък с желания
2SA2125-TD-E
ON Semiconductor

2SA2125-TD-E

Част запас: 140184

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
2SA1418S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1418S-TD-E

Част запас: 180384

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SA1419S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1419S-TD-E

Част запас: 105790

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
2SB1302T-TD-E
ON Semiconductor

2SB1302T-TD-E

Част запас: 188214

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
2SA2040-TL-E
ON Semiconductor

2SA2040-TL-E

Част запас: 158771

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
2SC5707-TL-E
ON Semiconductor

2SC5707-TL-E

Част запас: 197938

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
2N6517BU
ON Semiconductor

2N6517BU

Част запас: 183752

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
2N3772G
ON Semiconductor

2N3772G

Част запас: 16915

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V,

Списък с желания
2N5886G
ON Semiconductor

2N5886G

Част запас: 18765

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

Списък с желания
2N6292G
ON Semiconductor

2N6292G

Част запас: 79680

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 70V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V,

Списък с желания
2SA2039-H
ON Semiconductor

2SA2039-H

Част запас: 170409

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания