Транзистори - JFET

2SK3666-2-TB-E

Част запас: 158873

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

2N5460

Част запас: 3448

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 750mV @ 1µA,

2SK932-22-TB-E

Част запас: 109722

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-6-TB-E

Част запас: 173212

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK3666-3-TB-E

Част запас: 199601

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK932-23-TB-E

Част запас: 187928

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-7-TB-E

Част запас: 111814

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK545-11D-TB-E

Част запас: 155340

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.5V @ 1µA,

2SK932-24-TB-E

Част запас: 189339

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK715V

Част запас: 3479

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

2N5457_D74Z

Част запас: 3416

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

2SK2394-7-FRD-TB-E

Част запас: 3439

2SK3796-3-TL-E

Част запас: 3463

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK3738-TL-E

Част запас: 3415

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.3V @ 1µA,

2SK596S-A

Част запас: 3481

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

2SK596S-C

Част запас: 3473

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

2SK3796-2-TL-E

Част запас: 3405

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK3796-4-TL-E

Част запас: 3426

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK3666-4-TB-E

Част запас: 101963

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK715W-AC

Част запас: 3406

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715U-AC

Част запас: 3469

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715V-AC

Част запас: 3461

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715W

Част запас: 3372

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK715U

Част запас: 3435

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

2SK596S-B

Част запас: 3432

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

2SK771-5-TB-E

Част запас: 3380

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 20mA,

2N5639

Част запас: 3367

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

2N5462

Част запас: 3362

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.8V @ 1µA,

2N5639RLRAG

Част запас: 3393

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

2N5639G

Част запас: 3405

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

2N5638RLRA

Част запас: 3378

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,

2N5638RLRAG

Част запас: 3376

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,

2N5461RLRAG

Част запас: 3406

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

2N5462G

Част запас: 3431

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.8V @ 1µA,

2N5461RLRA

Част запас: 3385

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

2N5639_D75Z

Част запас: 3364

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,