Оптични сензори - Фотопрекъсвачи - Тип слот - Тран

OPB705

Част запас: 31381

QVA21313

Част запас: 6033

QVA11324

Част запас: 5935

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA21314

Част запас: 6088

MOC70P1

Част запас: 5994

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QCK3

Част запас: 9656

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

MOC70P3

Част запас: 5939

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVE00118

Част запас: 5977

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22B3

Част запас: 6051

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H21B5

Част запас: 9601

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

QVE00034

Част запас: 6044

Сензорно разстояние: 0.315" (8mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22B1

Част запас: 5990

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB703W

Част запас: 6018

QVA21113

Част запас: 6040

QVB11133

Част запас: 6094

QVB11233

Част запас: 6127

QVL21653

Част запас: 9691

Сензорно разстояние: 0.787" (20mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11434

Част запас: 6084

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVE00832

Част запас: 5998

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA21214

Част запас: 6076

OPB703

Част запас: 34733

QVA11233

Част запас: 6055

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22B2

Част запас: 5937

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H21B1

Част запас: 5974

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H21A6

Част запас: 9630

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

QVE00832C

Част запас: 6053

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11123

Част запас: 6105

QVB21214

Част запас: 5988

H22A4

Част запас: 6038

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

H21B2

Част запас: 6015

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVE00039

Част запас: 6086

Сензорно разстояние: 0.095" (2.41mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

MOC70P3_F132

Част запас: 9622

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H21A5

Част запас: 9692

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

QVA11124

Част запас: 6100

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA11333

Част запас: 5991

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11333

Част запас: 6027