Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
BYT51G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TR

Част запас: 108131

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BY203-16STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STAP

Част запас: 136970

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BY203-20STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STR

Част запас: 118044

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 2000V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYT54B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TR

Част запас: 167643

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT54G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TAP

Част запас: 143810

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT51K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TAP

Част запас: 146683

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYW33-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TR

Част запас: 150277

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYV16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TAP

Част запас: 117767

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYV15-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TAP

Част запас: 146909

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYX85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TR

Част запас: 166400

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT54J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TAP

Част запас: 131415

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT54K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TAP

Част запас: 128469

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYX86TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TR

Част запас: 169144

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYW34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TAP

Част запас: 116076

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYW33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TAP

Част запас: 105440

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT51K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TR

Част запас: 182442

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYV16-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TR

Част запас: 179220

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYV37-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TAP

Част запас: 150638

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYT54B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TAP

Част запас: 199187

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT54G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TR

Част запас: 134763

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYV14-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TR

Част запас: 153828

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYT52D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TAP

Част запас: 150232

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT53G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TR

Част запас: 132124

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYX85TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TAP

Част запас: 142054

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT53D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TAP

Част запас: 196848

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYW32-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TAP

Част запас: 187387

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT52K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TAP

Част запас: 163520

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT54A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TAP

Част запас: 169667

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT53A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TR

Част запас: 125422

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYT54A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TR

Част запас: 135093

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYW52-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TAP

Част запас: 182850

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYV27-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TAP

Част запас: 172017

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 55V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BYT54D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TAP

Част запас: 111860

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYW55-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TR

Част запас: 170956

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYW35-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TAP

Част запас: 181459

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 500V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT52K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TR

Част запас: 162625

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания