Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

Част запас: 122912

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io): 800mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 400mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 400ns,

Списък с желания
BYV27-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

Част запас: 170832

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 55V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BYT51D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

Част запас: 169988

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

Част запас: 158535

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 2400V, Ток - средно коригиран (Io): 350mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.6V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 5µs,

Списък с желания
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

Част запас: 133807

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYV37-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

Част запас: 166239

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYT53A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

Част запас: 162849

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

Част запас: 154344

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

Част запас: 127685

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1500V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

Част запас: 178566

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

Част запас: 107418

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT51B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

Част запас: 155091

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

Част запас: 140893

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYT51J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

Част запас: 113210

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

Част запас: 120137

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

Част запас: 176417

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT53B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

Част запас: 161256

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

Част запас: 147051

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT53C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

Част запас: 127986

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYT52M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

Част запас: 178212

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT54D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

Част запас: 142835

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

Част запас: 156566

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYT53B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

Част запас: 198030

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BY527TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

Част запас: 197736

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.65V @ 10A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BY458TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

Част запас: 132572

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

Част запас: 198779

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYW35-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

Част запас: 168310

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 500V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

Част запас: 129025

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT51A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

Част запас: 197129

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT51M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

Част запас: 143955

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BY527TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

Част запас: 135313

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.65V @ 10A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT51G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

Част запас: 191378

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

Част запас: 199601

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

Част запас: 116196

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

Част запас: 143123

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

Част запас: 205

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания