Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
BYV13-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TR

Част запас: 173494

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYW56-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TR

Част запас: 187466

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT52J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TR

Част запас: 191673

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BY448TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TR

Част запас: 172184

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1500V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 20µs,

Списък с желания
BYW53-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TAP

Част запас: 190341

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT51A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TR

Част запас: 147603

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYV27-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TAP

Част запас: 123328

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BYW34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TR

Част запас: 188604

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BY458TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TAP

Част запас: 191488

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
BYW54-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TAP

Част запас: 168015

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BY203-12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STR

Част запас: 146211

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYV26A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TR

Част запас: 159673

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYT51M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TR

Част запас: 150205

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT53D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TR

Част запас: 133955

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYW52-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TR

Част запас: 120246

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT53F-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TR

Част запас: 129638

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYT52G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TR

Част запас: 101825

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT53C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TR

Част запас: 136092

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYT51D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TAP

Част запас: 171145

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYX82TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TR

Част запас: 122323

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT52A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TR

Част запас: 171100

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BY203-16STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STR

Част запас: 198364

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.4V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYT52J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52J-TAP

Част запас: 189810

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYV26B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TR

Част запас: 113210

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYT54J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TR

Част запас: 120006

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BYT51J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TAP

Част запас: 148264

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYT52D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TR

Част запас: 180394

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYV27-600-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TR

Част запас: 176295

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания
BYT52G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52G-TAP

Част запас: 172719

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT53G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TAP

Част запас: 186525

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.9A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYV14-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TAP

Част запас: 133078

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYV15-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TR

Част запас: 148751

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYT52B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52B-TAP

Част запас: 190774

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYT51B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TR

Част запас: 190671

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYW54-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW54-TR

Част запас: 150177

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYW53-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW53-TR

Част запас: 100202

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания