Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

BYM12-300HE3_A/H

Част запас: 273

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

Част запас: 146674

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

Част запас: 150291

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

Част запас: 108452

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 150mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 250mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

Част запас: 154468

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 30mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

Част запас: 158822

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 30mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

Част запас: 159155

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

Част запас: 197051

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 150mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 10mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

Част запас: 122405

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

Част запас: 119842

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

Част запас: 148532

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 125V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 30mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

Част запас: 128512

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 30mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

Част запас: 196580

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

Част запас: 102104

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

Част запас: 107935

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

Част запас: 101978

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

Част запас: 109507

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

Част запас: 182695

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

Част запас: 142042

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

Част запас: 194217

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

Част запас: 116168

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

Част запас: 118002

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

Част запас: 110674

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

Част запас: 116604

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 30mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

Част запас: 189935

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

Част запас: 111895

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

Част запас: 123251

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 1mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

Част запас: 184839

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

Част запас: 175613

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

Част запас: 130523

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

Част запас: 112559

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

Част запас: 191280

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

Част запас: 131337

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

Част запас: 166092

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

Част запас: 116282

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

Част запас: 173970

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания