Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
BYG10YHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/H

Част запас: 17865

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYG10J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR

Част запас: 149622

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BY252P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY252P-E3/54

Част запас: 145929

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания
BY253P-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY253P-E3/54

Част запас: 127396

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания
BAV19W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-E3-08

Част запас: 102442

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BA159-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/73

Част запас: 135265

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания
BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-02V-V-G-08

Част запас: 174638

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 70V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BAS19-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-08

Част запас: 165592

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYM11-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-400-E3/96

Част запас: 154481

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
BAS21-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-08

Част запас: 108310

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYM10-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/96

Част запас: 191060

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYM10-600-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/96

Част запас: 119015

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
B360B-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/5BT

Част запас: 164916

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYG24D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR

Част запас: 162130

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания
B340A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-M3/61T

Част запас: 143315

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
B120-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B120-E3/61T

Част запас: 144292

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 520mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYW82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW82-TR

Част запас: 191605

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 7.5µs,

Списък с желания
B160-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B160-E3/5AT

Част запас: 189351

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYS11-90-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS11-90-E3/TR3

Част запас: 136594

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYW178-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW178-TR

Част запас: 166134

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

Списък с желания
BYG20D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR3

Част запас: 156933

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
BYT56M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TAP

Част запас: 190205

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
B130-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/5AT

Част запас: 180095

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 520mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYT56M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56M-TR

Част запас: 181153

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ134-GS08

Част запас: 114583

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BYV28-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-600-TAP

Част запас: 141378

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 210ns,

Списък с желания
BYG21K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-E3/TR3

Част запас: 119683

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания
BYV28-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-200-TAP

Част запас: 146611

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYG10YHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHM3_A/I

Част запас: 20320

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ34-GS08

Част запас: 163973

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BYG10YHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10YHE3_A/I

Част запас: 20300

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYW86-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86-TR

Част запас: 177974

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 7.5µs,

Списък с желания
BY255P-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/73

Част запас: 105347

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

Списък с желания
BAS40-00-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-00-E3-08

Част запас: 177694

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BAT43WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-08

Част запас: 163088

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BAT43WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-HE3-08

Част запас: 187575

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания