Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

Част запас: 163646

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

Част запас: 164701

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 25V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

Част запас: 120803

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

Част запас: 32260

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

Част запас: 152834

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

Част запас: 179080

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

Част запас: 111335

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 6ns,

Списък с желания
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

Част запас: 106669

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

Част запас: 155089

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

Част запас: 142318

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

Част запас: 170231

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

Част запас: 136941

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 70V, Ток - средно коригиран (Io): 70mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

Част запас: 34922

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

Част запас: 34902

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

Част запас: 101393

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

Част запас: 123083

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

Част запас: 116833

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

Част запас: 158520

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 2400V, Ток - средно коригиран (Io): 350mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3.6V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 5µs,

Списък с желания
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

Част запас: 193530

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 100ns,

Списък с желания
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

Част запас: 170950

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

Част запас: 122124

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

Част запас: 153002

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 600mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 400mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 6ns,

Списък с желания
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

Част запас: 121947

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

Част запас: 187035

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

Част запас: 129989

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

Списък с желания
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

Част запас: 171441

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

Част запас: 152678

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

Списък с желания
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

Част запас: 122331

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

Списък с желания
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

Част запас: 144972

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

Част запас: 183532

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

Част запас: 134544

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 600mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 400mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 6ns,

Списък с желания
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

Част запас: 169957

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

Част запас: 177773

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

Списък с желания
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

Част запас: 121386

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

Част запас: 139081

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 165V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

Част запас: 181381

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания