Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

BYWB29-50HE3/81

Част запас: 87429

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150HE3/81

Част запас: 87459

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200-E3/81

Част запас: 90803

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150-E3/81

Част запас: 90821

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100-E3/81

Част запас: 90760

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-50-E3/81

Част запас: 90748

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-300HE3/81

Част запас: 92419

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-400HE3/81

Част запас: 92396

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-400-E3/45

Част запас: 100496

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-400HE3/45

Част запас: 100466

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-300HE3/45

Част запас: 100467

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29F-300-E3/45

Част запас: 100477

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54WS-E3-08

Част запас: 166758

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-400-E3/81

Част запас: 103796

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-300-E3/81

Част запас: 103761

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-50HE3/45

Част запас: 110759

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-200HE3/45

Част запас: 110739

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-150HE3/45

Част запас: 110731

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200HE3/45

Част запас: 110790

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150HE3/45

Част запас: 110754

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100HE3/45

Част запас: 110785

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-100HE3/45

Част запас: 110727

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-50HE3/45

Част запас: 110766

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-150-E3/45

Част запас: 115019

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100-E3/45

Част запас: 115027

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-50-E3/45

Част запас: 114944

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200-E3/45

Част запас: 115002

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26E-TR

Част запас: 142851

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-400HE3/45

Част запас: 117015

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29B-300HE3/45

Част запас: 117033

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR

Част запас: 142658

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-100-E3/45

Част запас: 123811

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-150-E3/45

Част запас: 123795

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWF29-50-E3/45

Част запас: 123859

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-E3/TR

Част запас: 165046

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-E3-08

Част запас: 111276

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 6ns,

Списък с желания