Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
BYV26C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TR

Част запас: 143799

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-08

Част запас: 163524

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
B360B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/52T

Част запас: 102416

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 660mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BA157-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157-E3/54

Част запас: 114517

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
BYV26DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGP-E3/73

Част запас: 159527

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
BA159-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/54

Част запас: 154614

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания
BYV27-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TR

Част запас: 191875

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BYM10-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/97

Част запас: 106924

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYV26A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TAP

Част запас: 183151

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
BYV27-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TR

Част запас: 131464

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 165V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BYG22B-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR

Част запас: 105305

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BAV202-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV202-GS08

Част запас: 193112

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BAT81S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TR

Част запас: 123502

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 30mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BAW76-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TR

Част запас: 103779

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания
BAT42-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TR

Част запас: 136977

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BYM10-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/96

Част запас: 161468

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BAV20WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-08

Част запас: 178561

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-E3-08

Част запас: 180896

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-08

Част запас: 155591

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-E3/61T

Част запас: 134345

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-E3-08

Част запас: 180654

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 70V, Ток - средно коригиран (Io): 70mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BAT83S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TR

Част запас: 132524

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 30mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TR

Част запас: 178480

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BAW75-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW75-TAP

Част запас: 106301

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 25V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 30mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания
BAS34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TAP

Част запас: 172791

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
BYM13-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60-E3/96

Част запас: 177919

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
BYV26E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26E-TAP

Част запас: 148905

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-E3/TR3

Част запас: 196643

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TAP

Част запас: 181821

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TAP

Част запас: 152235

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR

Част запас: 195021

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания
BAS40-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-02V-V-G-08

Част запас: 119547

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 120mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 380mV @ 1mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
BYV29-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29-400-E3/45

Част запас: 147279

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TR

Част запас: 122116

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100HE3/81

Част запас: 87408

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200HE3/81

Част запас: 87472

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания