Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход

CNB13020S

Част запас: 2734

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

GP2S60A

Част запас: 2778

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

GP2S27T3J00F

Част запас: 2727

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

GP2S24

Част запас: 4283

Сензорно разстояние: 0.031" (0.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

GP2L24BCJ00F

Част запас: 2763

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

GP2L24BJ00F

Част запас: 2769

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

GP2S28

Част запас: 2729

Сензорно разстояние: 0.551" (14mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB755TZ

Част запас: 12878

Сензорно разстояние: 0.220" (5.59mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB744W

Част запас: 2774

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB706A

Част запас: 39866

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB743W

Част запас: 4313

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB739RWZ

Част запас: 5303

Сензорно разстояние: 0.015" ~ 0.045" (0.38mm ~ 1.14mm) ADJ, Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB740W

Част запас: 4359

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB712

Част запас: 27713

Сензорно разстояние: 0.080" (2.03mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

OPB703WZ

Част запас: 21166

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPR5005TR

Част запас: 23833

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB732

Част запас: 20066

Сензорно разстояние: 3" (76.2mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

SFH 7070

Част запас: 61573

Метод на засичане: Reflective, Ток - DC напред (ако) (макс.): 25mA, Тип изход: Photodiode,

RPR-220UC30N

Част запас: 27157

Сензорно разстояние: 0.236" (6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Тип изход: Phototransistor,

EE-SY113

Част запас: 12359

Сензорно разстояние: 0.173" (4.4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

EE-SY125

Част запас: 2778

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

EE-SY171

Част запас: 18679

Сензорно разстояние: 0.138" (3.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

EE-SY169

Част запас: 3710

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

MTRS1070

Част запас: 15471

Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

MTRS4720D

Част запас: 13002

Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Ток - DC напред (ако) (макс.): 20mA, Тип изход: Photodiode,

EAITRCA6

Част запас: 10294

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

ITR8307/L24

Част запас: 194894

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

GP2S700HCP

Част запас: 51616

Сензорно разстояние: 0.217" (5.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

HOA1397-001

Част запас: 11854

Сензорно разстояние: 0.05" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 20mA, Тип изход: Phototransistor,

HOA0708-011

Част запас: 10491

Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

HOA1180-001

Част запас: 3479

Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

QRE1113

Част запас: 57727

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

TALP3001

Част запас: 2764

LTH-209-01

Част запас: 106253

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

KU163C-TR

Част запас: 2739

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 20mA, Тип изход: Phototransistor,

TCRT5000

Част запас: 58184

Сензорно разстояние: 0.591" (15mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 70V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,