Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход

MTRS5900D

Част запас: 12999

Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Тип изход: Photodiode,

MTRS6140D

Част запас: 15518

Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Тип изход: Photodiode,

PC50CNP06RP

Част запас: 147

Сензорно разстояние: 236.2" (6m), Метод на засичане: Reflective,

PC50CNR10RP

Част запас: 122

Сензорно разстояние: 393.701" (10m), Метод на засичане: Reflective,

OPB70HWZ

Част запас: 21699

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

OPB70AWZ

Част запас: 18874

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Darlington,

OPB747WZ

Част запас: 2766

Сензорно разстояние: 0.300" (7.62mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB732WZ

Част запас: 15744

Сензорно разстояние: 3" (76.2mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB608C

Част запас: 51641

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB741W

Част запас: 2720

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB70EWZ

Част запас: 18687

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

OPB742

Част запас: 33637

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB743WZ

Част запас: 20862

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB755NZ

Част запас: 2712

Сензорно разстояние: 0.220" (5.59mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB701Z

Част запас: 7740

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodarlington,

OPR5005

Част запас: 21984

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB744WZ

Част запас: 18838

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB608R

Част запас: 47308

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Z4D-A01

Част запас: 4329

Сензорно разстояние: 0.256" (6.5mm), Метод на засичане: Reflective,

EE-SB5-B

Част запас: 10268

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

ITR9909

Част запас: 149323

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

ITR8307/L24/F43

Част запас: 163178

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

HOA0708-107

Част запас: 15421

Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

HOA0149-500

Част запас: 2735

Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

HOA0149-001

Част запас: 13019

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

CNB10010SL

Част запас: 2753

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

CNB2301

Част запас: 2755

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

CNB10010LL

Част запас: 2692

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

CNY70

Част запас: 52694

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

QRD1114

Част запас: 39835

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

QRD1313

Част запас: 2740

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

HEDS-1500

Част запас: 2754

Сензорно разстояние: 0.168" (4.27mm), Метод на засичане: Reflective, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodiode,

LTH-1550-01

Част запас: 183477

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

GP2S24BJ000F

Част запас: 2701

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

GP2S40

Част запас: 2756

Сензорно разстояние: 0.256" (6.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

E2RA-RN11 2M

Част запас: 2681