Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход

EAITRBA6
Everlight Electronics Co Ltd

EAITRBA6

Част запас: 144280

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
SFH 9201
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 9201

Част запас: 2748

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

Част запас: 4326

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
GP2S40J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

Част запас: 2712

Сензорно разстояние: 0.138" (3.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
GP2L24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

Част запас: 2712

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
GP2L26
Sharp Microelectronics

GP2L26

Част запас: 2756

Сензорно разстояние: 0.031" (0.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

Част запас: 2737

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
GP2S27T2J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

Част запас: 4345

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HOA1404-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA1404-002

Част запас: 4777

Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HOA0709-011
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA0709-011

Част запас: 9074

Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
HOA1397-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA1397-002

Част запас: 11011

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HOA1405-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA1405-002

Част запас: 11462

Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HLC1395-002
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HLC1395-002

Част запас: 18721

Сензорно разстояние: 0.040" (1.02mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HOA0709-001
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA0709-001

Част запас: 11523

Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
OPB700Z
TT Electronics/Optek Technology

OPB700Z

Част запас: 9335

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB608B
TT Electronics/Optek Technology

OPB608B

Част запас: 51569

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB608A
TT Electronics/Optek Technology

OPB608A

Част запас: 51248

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB607A
TT Electronics/Optek Technology

OPB607A

Част запас: 58586

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
OPB701AL
TT Electronics/Optek Technology

OPB701AL

Част запас: 4490

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
OPB700AL
TT Electronics/Optek Technology

OPB700AL

Част запас: 5308

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB70CWZ
TT Electronics/Optek Technology

OPB70CWZ

Част запас: 4369

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

За желание
OPB702
TT Electronics/Optek Technology

OPB702

Част запас: 28577

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB740WZ
TT Electronics/Optek Technology

OPB740WZ

Част запас: 21977

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
EE-SF5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5-B

Част запас: 8947

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
EE-SY191
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY191

Част запас: 2757

Сензорно разстояние: 0.178" (4.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
PMP12RI
Carlo Gavazzi Inc.

PMP12RI

Част запас: 146

Сензорно разстояние: 472.4" (12m) 39.4', Метод на засичане: Reflective,

За желание
OPB704W
ON Semiconductor

OPB704W

Част запас: 2756

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
QRE1113GR
ON Semiconductor

QRE1113GR

Част запас: 178615

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
MTRS9520
Marktech Optoelectronics

MTRS9520

Част запас: 14295

Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
MTRS5750D
Marktech Optoelectronics

MTRS5750D

Част запас: 12953

Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Тип изход: Photodiode,

За желание
CNB13020R
Panasonic Electronic Components

CNB13020R

Част запас: 2766

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
CNB10010WL
Panasonic Electronic Components

CNB10010WL

Част запас: 2683

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
LTH-301-23
Lite-On Inc.

LTH-301-23

Част запас: 2720

Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HSDL-9100-024
Broadcom Limited

HSDL-9100-024

Част запас: 74383

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodiode,

За желание
TCRT1010
Vishay Semiconductor Opto Division

TCRT1010

Част запас: 56364

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
RPR-359F
Rohm Semiconductor

RPR-359F

Част запас: 50797

Сензорно разстояние: 0.138" (3.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание