Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход

TCRT1000

Част запас: 58154

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

TCRT5000L

Част запас: 58186

Сензорно разстояние: 0.591" (15mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 70V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB746WZ

Част запас: 4366

Сензорно разстояние: 0.300" (7.62mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB704

Част запас: 30593

Сензорно разстояние: 0.149" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB70DWZ

Част запас: 16552

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

OPB607C

Част запас: 65767

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

OPB730F

Част запас: 9297

Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

OPB705WZ

Част запас: 21773

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB732W

Част запас: 2761

Сензорно разстояние: 3" (76.2mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB606B

Част запас: 71504

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB609GU

Част запас: 2766

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB742WZ

Част запас: 21355

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB741

Част запас: 31506

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB744

Част запас: 27479

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB700ALZ

Част запас: 8398

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB755T

Част запас: 2758

Сензорно разстояние: 0.220" (5.59mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

OPB710

Част запас: 9045

Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

QRB1113

Част запас: 2703

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

QRB1114

Част запас: 2747

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

QRC1133

Част запас: 2700

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

ITR20001/T

Част запас: 146389

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

ITR8307/L24/TR8

Част запас: 160874

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

EAITRCA8

Част запас: 140638

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

ITR8307/F43

Част запас: 144812

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

SFH 9202-2/3-Z

Част запас: 2766

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

SFH 9201-Z

Част запас: 2734

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

CNB10112

Част запас: 2697

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Тип изход: Phototransistor,

HBCS-1100

Част запас: 2727

Сензорно разстояние: 0.168" (4.27mm), Метод на засичане: Reflective, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

LTH-1550-06

Част запас: 2713

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

EE-SY110

Част запас: 15782

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

EE-SF5

Част запас: 2766

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

Z4D-A03

Част запас: 2778

HOA1406-001

Част запас: 2499

Сензорно разстояние: 0.120" (3.05mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

RPR-220

Част запас: 39202

Сензорно разстояние: 0.236" (6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Тип изход: Phototransistor,