Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
APTGT100A170TG
Microsemi Corporation

APTGT100A170TG

Част запас: 1066

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 560W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT300SK120G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120G

Част запас: 816

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 420A, Мощност - Макс: 1380W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGLQ80HR120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ80HR120CT3G

Част запас: 1034

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A,

Списък с желания
APTGL475DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL475DA120D3G

Част запас: 763

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 610A, Мощност - Макс: 2080W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGT100SK170TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK170TG

Част запас: 1414

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 560W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT100TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100TL60T3G

Част запас: 1115

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT35GT120JU3
Microsemi Corporation

APT35GT120JU3

Част запас: 3761

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 55A, Мощност - Макс: 260W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Списък с желания
APTGLQ600A65T6G
Microsemi Corporation

APTGLQ600A65T6G

Част запас: 512

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1200A, Мощност - Макс: 2000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APTGT225SK170G
Microsemi Corporation

APTGT225SK170G

Част запас: 816

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 340A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Списък с желания
APTGT200A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200A120D3G

Част запас: 726

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300A, Мощност - Макс: 1040W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT150DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA60T1G

Част запас: 2480

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 225A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGLQ300SK120G
Microsemi Corporation

APTGLQ300SK120G

Част запас: 249

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500A, Мощност - Макс: 1500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT100H120G
Microsemi Corporation

APTGT100H120G

Част запас: 718

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT300DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA170D3G

Част запас: 767

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 530A, Мощност - Макс: 1470W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGL90DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90DA120T1G

Част запас: 2308

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGLQ400A120T6G
Microsemi Corporation

APTGLQ400A120T6G

Част запас: 452

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700A, Мощност - Макс: 1900W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGLQ50H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T1G

Част запас: 261

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 175W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT50H60RT3G
Microsemi Corporation

APTGT50H60RT3G

Част запас: 1712

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGL90H120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90H120T3G

Част запас: 1107

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT400DU120G
Microsemi Corporation

APTGT400DU120G

Част запас: 445

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 560A, Мощност - Макс: 1785W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DU120TG

Част запас: 1368

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 350W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGL120TA120TPG
Microsemi Corporation

APTGL120TA120TPG

Част запас: 398

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 517W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120G

Част запас: 970

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 280A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGL120TDU120TPG
Microsemi Corporation

APTGL120TDU120TPG

Част запас: 524

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Triple, Dual - Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 517W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT150A60T3AG

Част запас: 1382

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 225A, Мощност - Макс: 600W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGL60TL120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60TL120T3G

Част запас: 1437

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 280W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGLQ100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

Част запас: 324

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 170A, Мощност - Макс: 520W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

Част запас: 317

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Списък с желания
APTGL90DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

Част запас: 1591

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGL90A120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

Част запас: 1766

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

Част запас: 510

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600A, Мощност - Макс: 1000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

Част запас: 268

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT75A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

Част запас: 2517

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

Част запас: 1938

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 90W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

Част запас: 297

Конфигурация: Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 483W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT100H60TG
Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

Част запас: 1208

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания