Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
APTGT150DA120G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120G

Част запас: 1025

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGL475A120D3G
Microsemi Corporation

APTGL475A120D3G

Част запас: 507

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 610A, Мощност - Макс: 2080W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGT150A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT150A60T1G

Част запас: 1880

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 225A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGTQ150TA65TPG
Microsemi Corporation

APTGTQ150TA65TPG

Част запас: 285

Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 365W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT75TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGT75TDU120PG

Част запас: 685

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Triple, Dual - Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 350W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGLQ50H65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50H65T3G

Част запас: 285

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 175W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGLQ40H120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ40H120T1G

Част запас: 1701

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APTGT300A60G
Microsemi Corporation

APTGT300A60G

Част запас: 824

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 430A, Мощност - Макс: 1150W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120T1G

Част запас: 2132

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40HR120CT3G

Част запас: 1678

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Списък с желания
APTGT75H60T2G
Microsemi Corporation

APTGT75H60T2G

Част запас: 1713

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT200A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200A170D3G

Част запас: 586

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT300DH60G
Microsemi Corporation

APTGT300DH60G

Част запас: 698

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 430A, Мощност - Макс: 1150W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T1G

Част запас: 2483

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 32A, Мощност - Макс: 62W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A,

Списък с желания
APTGT150H120G
Microsemi Corporation

APTGT150H120G

Част запас: 519

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT75DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DA120TG

Част запас: 1737

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120T1G

Част запас: 1412

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT30A170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170T1G

Част запас: 2036

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 45A, Мощност - Макс: 210W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APTGL700U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL700U120D4G

Част запас: 608

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 910A, Мощност - Макс: 3000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APTGT400DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA60D3G

Част запас: 1098

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGT50SK170TG
Microsemi Corporation

APTGT50SK170TG

Част запас: 1637

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT30H170T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H170T3G

Част запас: 1338

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 45A, Мощност - Макс: 210W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APTGT30TL601G
Microsemi Corporation

APTGT30TL601G

Част запас: 2151

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 90W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APTGT25X120T3G
Microsemi Corporation

APTGT25X120T3G

Част запас: 1534

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 156W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Списък с желания
APTGLQ150H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ150H120G

Част запас: 301

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 250A, Мощност - Макс: 750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT50SK120TG

Част запас: 1788

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ50TL65T3G

Част запас: 238

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 175W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGL700DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL700DA120D3G

Част запас: 596

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 840A, Мощност - Макс: 3000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APTGT150H60TG
Microsemi Corporation

APTGT150H60TG

Част запас: 1078

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 225A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT100DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DH60TG

Част запас: 1515

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT50TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA60PG

Част запас: 1144

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100DDA65T3G

Част запас: 320

Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH120TG

Част запас: 1402

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT300A120G
Microsemi Corporation

APTGT300A120G

Част запас: 588

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 420A, Мощност - Макс: 1380W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT150DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DH60TG

Част запас: 1369

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 225A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT400DA120G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120G

Част запас: 762

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 560A, Мощност - Макс: 1785W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Списък с желания