Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

Част запас: 505

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 350A, Мощност - Макс: 1000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

Част запас: 718

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700A, Мощност - Макс: 2300W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

Част запас: 2807

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

Част запас: 692

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 610A, Мощност - Макс: 2082W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

Част запас: 1579

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

Част запас: 1313

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

Част запас: 1568

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

Част запас: 469

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 530A, Мощност - Макс: 1470W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

Част запас: 920

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 250A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

Част запас: 631

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1660W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

Част запас: 443

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 580A, Мощност - Макс: 2100W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

Част запас: 1919

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 280W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

Част запас: 530

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 560W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

Част запас: 255

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 483W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

Част запас: 237

Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

Част запас: 1419

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

Част запас: 851

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

Част запас: 2031

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

Част запас: 770

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 340A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Списък с желания
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

Част запас: 2167

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

Част запас: 515

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 340A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Списък с желания
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

Част запас: 1579

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 290A, Мощност - Макс: 750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

Част запас: 709

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 280A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

Част запас: 1593

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 385W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

Част запас: 244

Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 125W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

Част запас: 292

Конфигурация: Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 483W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT450A60G
Microsemi Corporation

APTGT450A60G

Част запас: 612

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 550A, Мощност - Макс: 1750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A,

Списък с желания
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation

APTGT50H170TG

Част запас: 818

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50H120T3G

Част запас: 1389

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DH120T3G

Част запас: 1513

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT40GL120JU3
Microsemi Corporation

APT40GL120JU3

Част запас: 3651

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 220W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

Списък с желания
APTGT200DA120G
Microsemi Corporation

APTGT200DA120G

Част запас: 955

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 280A, Мощност - Макс: 890W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGLQ30H65T3G
Microsemi Corporation

APTGLQ30H65T3G

Част запас: 281

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 95W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A,

Списък с желания
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation

APTGT75H120TG

Част запас: 963

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGLQ25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T1G

Част запас: 271

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 165W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

Списък с желания
APTGT75TA120PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA120PG

Част запас: 672

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 350W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания