Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
NTD4805N-35G
ON Semiconductor

NTD4805N-35G

Част запас: 509

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12.7A (Ta), 95A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTD4809NH-35G
ON Semiconductor

NTD4809NH-35G

Част запас: 437

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTJS3157NT2
ON Semiconductor

NTJS3157NT2

Част запас: 389

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

Списък с желания
NTD4809N-1G
ON Semiconductor

NTD4809N-1G

Част запас: 519

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
FDMS8692
ON Semiconductor

FDMS8692

Част запас: 6064

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 28A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания
NTR4503NT3G
ON Semiconductor

NTR4503NT3G

Част запас: 364

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

Списък с желания
NTD4809NH-1G
ON Semiconductor

NTD4809NH-1G

Част запас: 479

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTD70N03RG
ON Semiconductor

NTD70N03RG

Част запас: 292

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 32A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
NTF3055L175T3
ON Semiconductor

NTF3055L175T3

Част запас: 346

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

Списък с желания
FDMC8884
ON Semiconductor

FDMC8884

Част запас: 146845

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

Списък с желания
NTD95N02RT4G
ON Semiconductor

NTD95N02RT4G

Част запас: 321

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 24V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
NTD4806N-1G
ON Semiconductor

NTD4806N-1G

Част запас: 461

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTP85N03G
ON Semiconductor

NTP85N03G

Част запас: 308

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 28V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 85A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания
FDS8670
ON Semiconductor

FDS8670

Част запас: 551

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 21A, 10V,

Списък с желания
NTD4863NAT4G
ON Semiconductor

NTD4863NAT4G

Част запас: 6115

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTHD3133PFT3G
ON Semiconductor

NTHD3133PFT3G

Част запас: 539

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.2A (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Списък с желания
FDS8812NZ
ON Semiconductor

FDS8812NZ

Част запас: 426

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
NTGS4111PT2G
ON Semiconductor

NTGS4111PT2G

Част запас: 472

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

Списък с желания
NTGS3441BT1G
ON Semiconductor

NTGS3441BT1G

Част запас: 505

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V,

Списък с желания
NTMFS4837NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4837NT3G

Част запас: 485

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 74A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTMSD3P102R2SG
ON Semiconductor

NTMSD3P102R2SG

Част запас: 6031

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.34A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V,

Списък с желания
NTD6600NT4
ON Semiconductor

NTD6600NT4

Част запас: 319

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Списък с желания
NTMD4884NFR2G
ON Semiconductor

NTMD4884NFR2G

Част запас: 535

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.3A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4A, 10V,

Списък с желания
NTD4809N-35G
ON Semiconductor

NTD4809N-35G

Част запас: 515

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTK3134NT5G
ON Semiconductor

NTK3134NT5G

Част запас: 507

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 750mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 890mA, 4.5V,

Списък с желания
NTD4857N-35G
ON Semiconductor

NTD4857N-35G

Част запас: 446

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTD4804NA-35G
ON Semiconductor

NTD4804NA-35G

Част запас: 6086

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
FDZ201N
ON Semiconductor

FDZ201N

Част запас: 357

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V,

Списък с желания
FQPF10N60CF
ON Semiconductor

FQPF10N60CF

Част запас: 330

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания
FDS8874
ON Semiconductor

FDS8874

Част запас: 596

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 16A, 10V,

Списък с желания
NTD3808NT4G
ON Semiconductor

NTD3808NT4G

Част запас: 593

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 16V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
NTD4808N-35G
ON Semiconductor

NTD4808N-35G

Част запас: 495

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTD4856N-35G
ON Semiconductor

NTD4856N-35G

Част запас: 475

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
NTGS3443BT1G
ON Semiconductor

NTGS3443BT1G

Част запас: 458

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Списък с желания
NTMFS4707NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4707NT1G

Част запас: 314

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
NTD4302-1G
ON Semiconductor

NTD4302-1G

Част запас: 303

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания