Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари
FJX4008RTF
ON Semiconductor

FJX4008RTF

Част запас: 2118

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
NSVMUN2233T1G
ON Semiconductor

NSVMUN2233T1G

Част запас: 128399

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJY3002R
ON Semiconductor

FJY3002R

Част запас: 173959

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
MUN5216T1
ON Semiconductor

MUN5216T1

Част запас: 1871

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5231T1
ON Semiconductor

MUN5231T1

Част запас: 1922

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVDTC123JET1G
ON Semiconductor

NSVDTC123JET1G

Част запас: 119366

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBA114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBA114YF3T5G

Част запас: 119130

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJN3302RTA
ON Semiconductor

FJN3302RTA

Част запас: 118552

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
FJV3102RMTF
ON Semiconductor

FJV3102RMTF

Част запас: 155941

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
MUN5235T1
ON Semiconductor

MUN5235T1

Част запас: 1934

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DTC114TM3T5G
ON Semiconductor

DTC114TM3T5G

Част запас: 126995

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC114YF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114YF3T5G

Част запас: 144543

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
SMUN5115T1G
ON Semiconductor

SMUN5115T1G

Част запас: 172520

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJN4306RTA
ON Semiconductor

FJN4306RTA

Част запас: 2013

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
NSVDTC123EM3T5G
ON Semiconductor

NSVDTC123EM3T5G

Част запас: 126152

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBA143ZF3T5G

Част запас: 157289

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJX4001RTF
ON Semiconductor

FJX4001RTF

Част запас: 1966

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
NSB9435T1G
ON Semiconductor

NSB9435T1G

Част запас: 172172

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V,

Списък с желания
FJV3101RMTF
ON Semiconductor

FJV3101RMTF

Част запас: 163797

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
NSBC143ZF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZF3T5G

Част запас: 124170

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN2233T1
ON Semiconductor

MUN2233T1

Част запас: 1867

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJNS4208RBU
ON Semiconductor

FJNS4208RBU

Част запас: 2020

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
SMUN2230T1G
ON Semiconductor

SMUN2230T1G

Част запас: 178747

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJV3115RMTF
ON Semiconductor

FJV3115RMTF

Част запас: 170458

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor

NSBC143EF3T5G

Част запас: 150999

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor

NSBC114TF3T5G

Част запас: 143954

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN2134T1
ON Semiconductor

MUN2134T1

Част запас: 1899

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5211T1G
ON Semiconductor

MUN5211T1G

Част запас: 163259

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVMMUN2131LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2131LT1G

Част запас: 130439

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
SMUN2111T1G
ON Semiconductor

SMUN2111T1G

Част запас: 180947

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJN4305RTA
ON Semiconductor

FJN4305RTA

Част запас: 145093

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
MUN5112T1G
ON Semiconductor

MUN5112T1G

Част запас: 141842

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJY4009R
ON Semiconductor

FJY4009R

Част запас: 2005

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
NSVMMUN2237LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2237LT1G

Част запас: 170845

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5215T1
ON Semiconductor

MUN5215T1

Част запас: 1921

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVDTA144EET1G
ON Semiconductor

NSVDTA144EET1G

Част запас: 160376

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания