Транзистори - биполярни (BJT) - масиви, предварите

NSVTB60BDW1T1G

NSVTB60BDW1T1G

Част запас: 121402

Тип транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC113EDXV6T1G

NSBC113EDXV6T1G

Част запас: 1427

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5311DW1T1

MUN5311DW1T1

Част запас: 1405

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
EMC2DXV5T1

EMC2DXV5T1

Част запас: 1502

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC144EPDXV6T1

NSBC144EPDXV6T1

Част запас: 1447

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
SMUN5311DW1T3G

SMUN5311DW1T3G

Част запас: 194732

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC114YPDXV6T1G

NSBC114YPDXV6T1G

Част запас: 119881

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVMUN5215DW1T1G

NSVMUN5215DW1T1G

Част запас: 125619

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5313DW1T1

MUN5313DW1T1

Част запас: 1441

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5115DW1T1G

MUN5115DW1T1G

Част запас: 191265

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVBC123JPDXV6T1G

NSVBC123JPDXV6T1G

Част запас: 170675

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
EMA6DXV5T1

EMA6DXV5T1

Част запас: 1631

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC144WDXV6T1G

NSBC144WDXV6T1G

Част запас: 196284

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5233DW1T1

MUN5233DW1T1

Част запас: 1457

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBA143EDXV6T1G

NSBA143EDXV6T1G

Част запас: 71232

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVEMD4DXV6T5G

NSVEMD4DXV6T5G

Част запас: 115919

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBA114TDXV6T1

NSBA114TDXV6T1

Част запас: 1489

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
EMG2DXV5T1G

EMG2DXV5T1G

Част запас: 1466

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC143EDXV6T1

NSBC143EDXV6T1

Част запас: 1446

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBA143EDP6T5G

NSBA143EDP6T5G

Част запас: 184541

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVBC143ZPDXV6T1G

NSVBC143ZPDXV6T1G

Част запас: 119356

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC114EDXV6T5G

NSBC114EDXV6T5G

Част запас: 160922

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
SMUN5311DW1T1G

SMUN5311DW1T1G

Част запас: 167806

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC114TDXV6T1

NSBC114TDXV6T1

Част запас: 3201

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5215DW1T1G

MUN5215DW1T1G

Част запас: 136906

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
IMH20TR1

IMH20TR1

Част запас: 1463

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
NSBC143ZPDXV6T5

NSBC143ZPDXV6T5

Част запас: 5401

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5131DW1T1G

MUN5131DW1T1G

Част запас: 122560

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

Част запас: 3203

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5311DW1T1G

MUN5311DW1T1G

Част запас: 171080

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBC143ZPDP6T5G

NSBC143ZPDP6T5G

Част запас: 133800

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5231DW1T1G

MUN5231DW1T1G

Част запас: 74853

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5332DW1T1G

MUN5332DW1T1G

Част запас: 1524

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSVBC143ZPDXV6T5G

NSVBC143ZPDXV6T5G

Част запас: 167892

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NSBA123JDP6T5G

NSBA123JDP6T5G

Част запас: 165090

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MUN5236DW1T1

MUN5236DW1T1

Част запас: 1402

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания