Оптични сензори - Фотопрекъсвачи - Тип слот - Тран

QCK5

Част запас: 5994

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA21213

Част запас: 6073

QVL25335

Част запас: 6043

Сензорно разстояние: 0.787" (20mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB21213

Част запас: 5918

QVB21113

Част запас: 5998

CNY36

Част запас: 5949

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11334

Част запас: 6060

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA11123

Част запас: 6016

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVE00033

Част запас: 9678

Сензорно разстояние: 0.079" (2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB21314

Част запас: 6109

QVA11223

Част запас: 6102

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22A5

Част запас: 6008

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

H21B3

Част запас: 6088

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA11323

Част запас: 5963

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H21B6

Част запас: 6086

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

H22B6

Част запас: 5971

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

OPB705W

Част запас: 9616

QVA11134

Част запас: 6048

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22B5

Част запас: 6101

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

H21A4

Част запас: 6059

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

QVE11233

Част запас: 5993

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA21114

Част запас: 6045

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11234

Част запас: 6056

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

CNY28

Част запас: 5973

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA11133

Част запас: 6056

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11323

Част запас: 5997

QVB11223

Част запас: 5947

H21B4

Част запас: 5933

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

QCK5TR

Част запас: 6114

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11224

Част запас: 6037

QCK4

Част запас: 6078

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB11134

Част запас: 6041

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22B4

Част запас: 5974

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

QVA11224

Част запас: 5952

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

MOC70P2

Част запас: 6033

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVA11334

Част запас: 5998

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,