Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
NXH80B120H2Q0SG
ON Semiconductor

NXH80B120H2Q0SG

Част запас: 168

Конфигурация: Dual Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 41A, Мощност - Макс: 103W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A,

Списък с желания
NXH160T120L2Q2F2SG
ON Semiconductor

NXH160T120L2Q2F2SG

Част запас: 161

Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 181A, Мощност - Макс: 500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A,

Списък с желания
NXH80T120L2Q0S2G
ON Semiconductor

NXH80T120L2Q0S2G

Част запас: 68

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 57A, Мощност - Макс: 125W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A,

Списък с желания
FMS6G15US60S
ON Semiconductor

FMS6G15US60S

Част запас: 401

Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Мощност - Макс: 73W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Списък с желания
HGT1N30N60A4D
ON Semiconductor

HGT1N30N60A4D

Част запас: 431

Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 96A, Мощност - Макс: 255W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A,

Списък с желания
FMS7G15US60S
ON Semiconductor

FMS7G15US60S

Част запас: 322

Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Мощност - Макс: 73W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Списък с желания
FAM65V05DF1
ON Semiconductor

FAM65V05DF1

Част запас: 1644

Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 333W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A,

Списък с желания
FMG2G150US60
ON Semiconductor

FMG2G150US60

Част запас: 425

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 595W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A,

Списък с желания
FMS6G20US60
ON Semiconductor

FMS6G20US60

Част запас: 387

Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Мощност - Макс: 89W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,

Списък с желания
FMS7G15US60
ON Semiconductor

FMS7G15US60

Част запас: 406

Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Мощност - Макс: 73W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Списък с желания
FMS6G10US60
ON Semiconductor

FMS6G10US60

Част запас: 444

Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Мощност - Макс: 66W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Списък с желания
FMG2G150US60E
ON Semiconductor

FMG2G150US60E

Част запас: 472

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 150A,

Списък с желания
FMG2G200US60
ON Semiconductor

FMG2G200US60

Част запас: 468

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 695W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A,

Списък с желания
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor

FMG2G300LS60E

Част запас: 428

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300A, Мощност - Макс: 892W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Списък с желания
FPF2G120BF07AS
ON Semiconductor

FPF2G120BF07AS

Част запас: 758

IGBT тип: Field Stop, Конфигурация: 3 Independent, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 156W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

Списък с желания
FMG2G50US120
ON Semiconductor

FMG2G50US120

Част запас: 416

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 320W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A,

Списък с желания
FMS6G15US60
ON Semiconductor

FMS6G15US60

Част запас: 424

Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Мощност - Макс: 73W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A,

Списък с желания
FP7G100US60
ON Semiconductor

FP7G100US60

Част запас: 522

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 400W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Списък с желания
FPF2C8P2NL07A
ON Semiconductor

FPF2C8P2NL07A

Част запас: 1001

IGBT тип: Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30A, Мощност - Макс: 135W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

Списък с желания
FMG1G100US60H
ON Semiconductor

FMG1G100US60H

Част запас: 409

Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 400W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Списък с желания
FMG2G75US120
ON Semiconductor

FMG2G75US120

Част запас: 327

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 445W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

Списък с желания
FMG1G50US60L
ON Semiconductor

FMG1G50US60L

Част запас: 445

Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Списък с желания
HGT1N40N60A4D
ON Semiconductor

HGT1N40N60A4D

Част запас: 449

Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 298W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Списък с желания
FP7G50US60
ON Semiconductor

FP7G50US60

Част запас: 495

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Списък с желания
FPF2C110BI07AS2
ON Semiconductor

FPF2C110BI07AS2

Част запас: 1146

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 300W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

Списък с желания
FMS6G10US60S
ON Semiconductor

FMS6G10US60S

Част запас: 375

Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Мощност - Макс: 66W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Списък с желания
FP7G75US60
ON Semiconductor

FP7G75US60

Част запас: 290

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 310W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

Списък с желания
FMG2G100US60
ON Semiconductor

FMG2G100US60

Част запас: 395

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 400W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Списък с желания
FMS7G10US60
ON Semiconductor

FMS7G10US60

Част запас: 319

Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Мощност - Макс: 66W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Списък с желания
FMG2G75US60
ON Semiconductor

FMG2G75US60

Част запас: 431

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 310W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

Списък с желания
FMS7G10US60S
ON Semiconductor

FMS7G10US60S

Част запас: 378

Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Мощност - Макс: 66W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A,

Списък с желания
FMG2G400LS60
ON Semiconductor

FMG2G400LS60

Част запас: 419

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1136W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 400A,

Списък с желания
FMG1G50US60H
ON Semiconductor

FMG1G50US60H

Част запас: 407

Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

Списък с желания
FPF2G120BF07ASP
ON Semiconductor

FPF2G120BF07ASP

Част запас: 815

IGBT тип: Field Stop, Конфигурация: 3 Independent, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 156W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A,

Списък с желания
FMG2G300US60E
ON Semiconductor

FMG2G300US60E

Част запас: 435

Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300A, Мощност - Макс: 892W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A,

Списък с желания
FMG1G100US60L
ON Semiconductor

FMG1G100US60L

Част запас: 438

Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 400W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

Списък с желания