Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

  • У дома
  •  
  • Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход
H11B815300W
ON Semiconductor

H11B815300W

Част запас: 5924

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 600% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 7500% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 300µs, 250µs (Max),

Списък с желания
MOC217M_F132
ON Semiconductor

MOC217M_F132

Част запас: 5955

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
H11A2SM
ON Semiconductor

H11A2SM

Част запас: 5969

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
H11B1300W
ON Semiconductor

H11B1300W

Част запас: 5887

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 25µs, 18µs,

Списък с желания
CNW84
ON Semiconductor

CNW84

Част запас: 5896

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5900Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 0.63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 3.20% @ 10mA,

Списък с желания
SL5501S
ON Semiconductor

SL5501S

Част запас: 5954

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 25% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 400% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 20µs, 50µs (Max),

Списък с желания
FODM2701B
ON Semiconductor

FODM2701B

Част запас: 5858

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
MOC8111S
ON Semiconductor

MOC8111S

Част запас: 5972

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 18µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 11µs,

Списък с желания
FODM121CR1
ON Semiconductor

FODM121CR1

Част запас: 2606

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
HMA121C
ON Semiconductor

HMA121C

Част запас: 5961

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
CNW11AV2300
ON Semiconductor

CNW11AV2300

Част запас: 2639

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA,

Списък с желания
CNY17F2300W
ON Semiconductor

CNY17F2300W

Част запас: 5881

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
FODM2701R2V
ON Semiconductor

FODM2701R2V

Част запас: 5907

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
H11A817BS
ON Semiconductor

H11A817BS

Част запас: 5737

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 130% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 260% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
H11AA13S
ON Semiconductor

H11AA13S

Част запас: 5862

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA,

Списък с желания
CNY173S
ON Semiconductor

CNY173S

Част запас: 5802

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
CNY17F4300W
ON Semiconductor

CNY17F4300W

Част запас: 5863

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 160% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 320% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
CNY17F2SD
ON Semiconductor

CNY17F2SD

Част запас: 4292

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
H11AG33S
ON Semiconductor

H11AG33S

Част запас: 5946

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания
CNW82
ON Semiconductor

CNW82

Част запас: 5786

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5900Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 0.4% @ 10mA,

Списък с желания
FODM2701AR2
ON Semiconductor

FODM2701AR2

Част запас: 5746

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
HCPL2730V
ON Semiconductor

HCPL2730V

Част запас: 5928

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 300% @ 1.6mA, Време за включване / изключване (тип): 300ns, 5µs,

Списък с желания
H11A4FVM
ON Semiconductor

H11A4FVM

Част запас: 5905

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
H11B23S
ON Semiconductor

H11B23S

Част запас: 5841

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 200% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 25µs, 18µs,

Списък с желания
FOD617DS
ON Semiconductor

FOD617DS

Част запас: 5789

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 160% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 320% @ 10mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
H11A2300W
ON Semiconductor

H11A2300W

Част запас: 5849

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
CNX38USD
ON Semiconductor

CNX38USD

Част запас: 5873

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 70% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 210% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 20µs, 20µs,

Списък с желания
FOD817DW
ON Semiconductor

FOD817DW

Част запас: 5773

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 300% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
H11G13S
ON Semiconductor

H11G13S

Част запас: 5875

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs,

Списък с желания
CNY174SM
ON Semiconductor

CNY174SM

Част запас: 110969

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 160% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 320% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
MOC215M
ON Semiconductor

MOC215M

Част запас: 5941

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 4µs, 4µs, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
FODM121DR1V
ON Semiconductor

FODM121DR1V

Част запас: 5820

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
HMA121BR4V
ON Semiconductor

HMA121BR4V

Част запас: 5870

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 150% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
HMHA281R3V
ON Semiconductor

HMHA281R3V

Част запас: 5965

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
MOC217VM
ON Semiconductor

MOC217VM

Част запас: 5986

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
MOC208R2VM
ON Semiconductor

MOC208R2VM

Част запас: 5748

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания