Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 3.1A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 10A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 1A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 5A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 5A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 1.2A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 2 Phase, Текущ: 30A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 1.5A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 1.2A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerDIP Module (0.573", 14.56mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 4.8A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerLQFN Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 50A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 3.6A, Волтаж: 250V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 15A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 10A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 4A, Волтаж: 250V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 30A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 1.5A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 3A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 15A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 3.3A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 27-PowerLQFN Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 20A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase Inverter, Текущ: 15A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2000Vrms, Опаковка / калъф: 26-PowerDIP Module (1.134", 28.80mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 2 Phase, Текущ: 20A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 20-PowerSIP Module, Formed Leads,
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 1.2A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase Inverter, Текущ: 10A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: 2 Phase, Текущ: 30A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 20-PowerSIP Module, Formed Leads,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase Inverter, Текущ: 5A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 1.5A, Волтаж: 250V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),
Тип: IGBT, Конфигурация: Half Bridge, Текущ: 180A, Волтаж: 300V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 19-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 2A, Волтаж: 500V, Напрежение - Изолация: 1500Vrms, Опаковка / калъф: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,