Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
2N3904_J25Z
ON Semiconductor

2N3904_J25Z

Част запас: 5697

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3904_J18Z
ON Semiconductor

2N3904_J18Z

Част запас: 5670

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3904_D81Z
ON Semiconductor

2N3904_D81Z

Част запас: 5636

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3904_D28Z
ON Semiconductor

2N3904_D28Z

Част запас: 5688

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N6039G
ON Semiconductor

2N6039G

Част запас: 104692

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Списък с желания
2N3903_S00Z
ON Semiconductor

2N3903_S00Z

Част запас: 5689

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3904_D10Z
ON Semiconductor

2N3904_D10Z

Част запас: 5724

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3903_D27Z
ON Semiconductor

2N3903_D27Z

Част запас: 5714

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3903_D74Z
ON Semiconductor

2N3903_D74Z

Част запас: 5657

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3903_D26Z
ON Semiconductor

2N3903_D26Z

Част запас: 5651

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
2N3859A
ON Semiconductor

2N3859A

Част запас: 5733

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V,

Списък с желания
2N3859A_D75Z
ON Semiconductor

2N3859A_D75Z

Част запас: 5656

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 1V,

Списък с желания
2N3417_D89Z
ON Semiconductor

2N3417_D89Z

Част запас: 5730

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Списък с желания
2N3417_D75Z
ON Semiconductor

2N3417_D75Z

Част запас: 5673

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Списък с желания
2N3417_D27Z
ON Semiconductor

2N3417_D27Z

Част запас: 5732

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Списък с желания
2N3417_D74Z
ON Semiconductor

2N3417_D74Z

Част запас: 5705

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Списък с желания
2N3416_D74Z
ON Semiconductor

2N3416_D74Z

Част запас: 5661

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V,

Списък с желания
2N3416_D27Z
ON Semiconductor

2N3416_D27Z

Част запас: 5662

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V,

Списък с желания
2N6520BU
ON Semiconductor

2N6520BU

Част запас: 5678

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
2N6519BU
ON Semiconductor

2N6519BU

Част запас: 5647

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
2N6517CBU
ON Semiconductor

2N6517CBU

Част запас: 5608

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
2N5551CTA
ON Semiconductor

2N5551CTA

Част запас: 5696

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
2N5551CBU
ON Semiconductor

2N5551CBU

Част запас: 5645

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
2N5401TFR
ON Semiconductor

2N5401TFR

Част запас: 5677

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
2N5401TF
ON Semiconductor

2N5401TF

Част запас: 5645

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
2N5401CYTA
ON Semiconductor

2N5401CYTA

Част запас: 5640

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
2N5401NLBU
ON Semiconductor

2N5401NLBU

Част запас: 5602

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
2N5089TFR
ON Semiconductor

2N5089TFR

Част запас: 6632

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

Списък с желания
2N5401CTA
ON Semiconductor

2N5401CTA

Част запас: 5678

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
2N5089TF
ON Semiconductor

2N5089TF

Част запас: 6654

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

Списък с желания
2N5087TF
ON Semiconductor

2N5087TF

Част запас: 5617

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Списък с желания
2N4403NLBU
ON Semiconductor

2N4403NLBU

Част запас: 5664

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания
2N5087TA
ON Semiconductor

2N5087TA

Част запас: 5600

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Списък с желания
2N4402TF
ON Semiconductor

2N4402TF

Част запас: 5666

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Списък с желания
2N4402TFR
ON Semiconductor

2N4402TFR

Част запас: 5666

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Списък с желания
2N4402TA
ON Semiconductor

2N4402TA

Част запас: 5603

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Списък с желания