Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
BC239C
ON Semiconductor

BC239C

Част запас: 6259

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC239CG
ON Semiconductor

BC239CG

Част запас: 6321

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC237G
ON Semiconductor

BC237G

Част запас: 6280

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC237CG
ON Semiconductor

BC237CG

Част запас: 6271

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC237C
ON Semiconductor

BC237C

Част запас: 6309

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC237BZL1G
ON Semiconductor

BC237BZL1G

Част запас: 6331

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC237BZL1
ON Semiconductor

BC237BZL1

Част запас: 6310

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC237BRL1
ON Semiconductor

BC237BRL1

Част запас: 6302

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC237BG
ON Semiconductor

BC237BG

Част запас: 6696

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC212BRL1
ON Semiconductor

BC212BRL1

Част запас: 6298

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC212BRL1G
ON Semiconductor

BC212BRL1G

Част запас: 6277

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC182G
ON Semiconductor

BC182G

Част запас: 6275

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC182BRL1G
ON Semiconductor

BC182BRL1G

Част запас: 6324

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC182AG
ON Semiconductor

BC182AG

Част запас: 6335

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC182BG
ON Semiconductor

BC182BG

Част запас: 6287

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC182A
ON Semiconductor

BC182A

Част запас: 6316

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BD237STU
ON Semiconductor

BD237STU

Част запас: 135611

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Списък с желания
BCW33LT1G
ON Semiconductor

BCW33LT1G

Част запас: 180167

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC807-40WT1G
ON Semiconductor

BC807-40WT1G

Част запас: 149013

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
BCW32LT1G
ON Semiconductor

BCW32LT1G

Част запас: 193345

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC807-25WT1G
ON Semiconductor

BC807-25WT1G

Част запас: 135010

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
BCW65CLT1G
ON Semiconductor

BCW65CLT1G

Част запас: 144468

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
BC858CMTF
ON Semiconductor

BC858CMTF

Част запас: 188527

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BCW70LT1G
ON Semiconductor

BCW70LT1G

Част запас: 168996

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC848CWT1G
ON Semiconductor

BC848CWT1G

Част запас: 154511

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BD680AG
ON Semiconductor

BD680AG

Част запас: 114510

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Списък с желания
BU406
ON Semiconductor

BU406

Част запас: 87455

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5mA,

Списък с желания
BD682STU
ON Semiconductor

BD682STU

Част запас: 107748

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Списък с желания
BD244CG
ON Semiconductor

BD244CG

Част запас: 73278

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 700µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
BD677ASTU
ON Semiconductor

BD677ASTU

Част запас: 122135

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Списък с желания
BD17516STU
ON Semiconductor

BD17516STU

Част запас: 133192

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания
BDX54CTU
ON Semiconductor

BDX54CTU

Част запас: 95107

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Списък с желания
BCW60A_D87Z
ON Semiconductor

BCW60A_D87Z

Част запас: 6590

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BCW71_D87Z
ON Semiconductor

BCW71_D87Z

Част запас: 5830

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC212_D75Z
ON Semiconductor

BC212_D75Z

Част запас: 5788

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
BC212_D74Z
ON Semiconductor

BC212_D74Z

Част запас: 5803

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

Списък с желания