Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - RF

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - RF
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

Част запас: 144

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 13dB, Мощност - Макс: 150mW,

Списък с желания
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Част запас: 170

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11dB, Мощност - Макс: 150mW,

Списък с желания
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Част запас: 171976

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Печалба: 17dB ~ 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Част запас: 111075

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Част запас: 128600

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11dB ~ 16.5dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Част запас: 121034

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Част запас: 190

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Част запас: 170

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Част запас: 187

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Печалба: 13dB ~ 7dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Част запас: 173074

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Част запас: 128

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Печалба: 13dB ~ 7.5dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Част запас: 124837

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Печалба: 17dB ~ 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Част запас: 152602

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11dB, Мощност - Макс: 150mW,

Списък с желания
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Част запас: 162523

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Мощност - Макс: 150mW,

Списък с желания
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

Част запас: 133840

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

Част запас: 132303

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Печалба: 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

Част запас: 156257

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Мощност - Макс: 150mW,

Списък с желания
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

Част запас: 190913

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 12dB ~ 17dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

Част запас: 167393

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Печалба: 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

Част запас: 7295

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Печалба: 18dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

Част запас: 4783

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 6GHz, Печалба: 11dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

Част запас: 7101

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Печалба: 17dB ~ 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

Част запас: 7064

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Печалба: 1.4dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

Част запас: 160292

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Печалба: 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

Част запас: 91

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 6V, Честота - преход: 11.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Печалба: 12dB, Мощност - Макс: 700mW,

Списък с желания
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

Част запас: 18982

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 6V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Печалба: 10.5dB, Мощност - Макс: 1W,

Списък с желания
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

Част запас: 4314

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.3V, Честота - преход: 7.7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Печалба: 10.5dB, Мощност - Макс: 1.6W,

Списък с желания
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

Част запас: 9921

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.3V, Честота - преход: 12.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Печалба: 11.8dB, Мощност - Макс: 800mW,

Списък с желания
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

Част запас: 4313

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Печалба: 16.5dB, Мощност - Макс: 1.8W,

Списък с желания
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

Част запас: 135

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Печалба: 12dB, Мощност - Макс: 900mW,

Списък с желания
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

Част запас: 9992

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.3V, Честота - преход: 11.2GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Печалба: 12.5dB, Мощност - Макс: 900mW,

Списък с желания
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

Част запас: 176440

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5V, Честота - преход: 4GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Печалба: 4.5dBi, Мощност - Макс: 100mW,

Списък с желания
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

Част запас: 7065

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11.5dB, Мощност - Макс: 200mW,

Списък с желания