Диоди - Изправители - единични

У дома
Диоди - Изправители - единични

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

Част запас: 117530

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 1.6ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

Част запас: 116

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

Част запас: 131

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

Част запас: 111

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

Част запас: 161

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

Част запас: 176168

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

Част запас: 156192

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 50mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

Част запас: 201

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

Част запас: 122602

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 300mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

Част запас: 2303

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

Част запас: 1533

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

Част запас: 154898

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 10V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

Част запас: 152629

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

Част запас: 136052

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

Част запас: 175794

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

Част запас: 1558

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

Част запас: 146552

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

Част запас: 180671

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 50mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

Част запас: 113319

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

Част запас: 108515

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

Част запас: 21577

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

Част запас: 106441

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 50mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

Част запас: 119305

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 10V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

Част запас: 129010

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 10V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

Част запас: 138564

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 1.6ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

Част запас: 174948

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 300mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

Част запас: 106991

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

Част запас: 126326

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

Списък с желания

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

Част запас: 172900

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 60ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

Част запас: 154455

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

Част запас: 8357

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

Част запас: 8339

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

Част запас: 8339

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 250mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

Част запас: 6216

Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 0ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

Част запас: 176414

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

Част запас: 162705

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

207

«
1
2
3
4
5
6
»