Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - ценерови - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - ценерови - единични
CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

Част запас: 99

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 13V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 9V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

Част запас: 140

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 14V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

Част запас: 137

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 36V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 28.8V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

Част запас: 176

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Толерантност: ±9.68%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 3V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

Част запас: 141

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 16V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 11V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

Част запас: 172

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 21V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

Част запас: 86

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 17V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

Част запас: 127

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 22V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 16V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

Част запас: 153

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 6V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

Част запас: 98

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 7V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

Част запас: 114

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 27V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 19V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

Част запас: 118

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 13V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

Част запас: 89

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 12V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 8V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

Част запас: 142

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 47V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

Част запас: 173943

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 15V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 10V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

Част запас: 170

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 43V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 34.4V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

Част запас: 150

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 39V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 31.2V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

Част запас: 8202

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 6V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

Част запас: 3906

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 22V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 16V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

Част запас: 8171

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 47V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

Част запас: 8174

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 21V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

Част запас: 5464

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 26.4V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

Част запас: 8245

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 12V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 8V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

Част запас: 8173

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 7V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

Част запас: 152718

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.8V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 3V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

Част запас: 127852

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 8.2V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 4.9V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

Част запас: 138193

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 7.5V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 4.5V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

Част запас: 5349

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 9.1V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 5.5V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

Част запас: 5364

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±10%, Мощност - Макс: 700mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 10µA @ 13V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA,

Списък с желания