Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - единични
GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT60N321(Q)

Част запас: 6662

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1000V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 60A, Ток - колектор импулсен (Icm): 120A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Мощност - Макс: 170W,

Списък с желания
GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

Част запас: 6662

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Ток - колектор импулсен (Icm): 100A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Мощност - Макс: 240W,

Списък с желания
GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

Част запас: 6700

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Ток - колектор импулсен (Icm): 150A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Мощност - Макс: 600mW,

Списък с желания
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

Част запас: 6737

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Ток - колектор импулсен (Icm): 200A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Мощност - Макс: 1W,

Списък с желания
GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

Част запас: 6730

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Ток - колектор импулсен (Icm): 20A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Мощност - Макс: 60W,

Списък с желания