Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 11

2SA1943N(S1,E,S)

Част запас: 30936

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

Част запас: 133517

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

Част запас: 125949

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

Част запас: 103394

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

Част запас: 72

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

Част запас: 154

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

Част запас: 155

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

Част запас: 105735

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

Част запас: 114972

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

Част запас: 141073

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

Част запас: 182069

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

Част запас: 110660

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

Част запас: 194721

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

Част запас: 146528

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

Част запас: 123

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

Част запас: 160315

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

Част запас: 107

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

Част запас: 100369

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

Част запас: 179590

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

Част запас: 124685

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

Част запас: 122917

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

Част запас: 134403

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

Част запас: 189199

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

Част запас: 172547

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

Част запас: 135662

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

Част запас: 106998

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

Част запас: 515

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

Част запас: 22703

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

Част запас: 22767

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

Част запас: 30915

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 230V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

Част запас: 7061

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

Част запас: 7009

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

Част запас: 7019

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

Част запас: 7049

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

Част запас: 7066

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

Част запас: 6988

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Списък с желания