Диоди - Изправители - единични

У дома
Диоди - Изправители - единични

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

Част запас: 183725

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

Част запас: 115069

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

Част запас: 197411

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

Част запас: 133472

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

Част запас: 189054

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

Част запас: 154231

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

Част запас: 129432

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

Част запас: 181553

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

Част запас: 177768

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

Част запас: 144093

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

Част запас: 138230

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

Част запас: 163164

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

Част запас: 107656

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

Част запас: 135582

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

Част запас: 187643

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

Част запас: 141453

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

Част запас: 151105

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

Част запас: 110757

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

Част запас: 163338

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

Част запас: 160116

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

Част запас: 174275

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

Част запас: 159460

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

Част запас: 116335

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

Част запас: 199885

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

Част запас: 187956

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

Част запас: 199372

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

Част запас: 176378

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

Част запас: 183930

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

Част запас: 155546

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

Част запас: 125757

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

Част запас: 196711

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

Част запас: 186120

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

Част запас: 139157

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

Част запас: 185358

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

Част запас: 310

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

Част запас: 195437

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4µs,

Списък с желания

3600

«
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
»