Menu
Български езикБългарски език
0Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

  • У дома
  •  
  • Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход
FOD8153SD
ON Semiconductor

FOD8153SD

Част запас: 5294

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 600% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 7500% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 60µs, 53µs,

Списък с желания
CNX36U300W
ON Semiconductor

CNX36U300W

Част запас: 5234

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 80% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 20µs, 20µs,

Списък с желания
MOC213R2M
ON Semiconductor

MOC213R2M

Част запас: 160530

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
MOCD217R2VM
ON Semiconductor

MOCD217R2VM

Част запас: 168283

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
FODM452R1
ON Semiconductor

FODM452R1

Част запас: 5191

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 400ns, 350ns,

Списък с желания
HMA2701AR4
ON Semiconductor

HMA2701AR4

Част запас: 5236

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 150% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
MOC80203SD
ON Semiconductor

MOC80203SD

Част запас: 5288

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 3.5µs, 95µs,

Списък с желания
FODM8801AR2V
ON Semiconductor

FODM8801AR2V

Част запас: 157378

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 80% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 160% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 6µs, 6µs, Време на нарастване / падане (тип): 5µs, 5.5µs,

Списък с желания
HMA2701AR4V
ON Semiconductor

HMA2701AR4V

Част запас: 5267

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 150% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
H11A617CW
ON Semiconductor

H11A617CW

Част запас: 5279

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време на нарастване / падане (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
MCT5210300
ON Semiconductor

MCT5210300

Част запас: 5244

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 70% @ 3mA, Време за включване / изключване (тип): 10µs, 400ns,

Списък с желания
MOC217R1M
ON Semiconductor

MOC217R1M

Част запас: 5178

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
FOD2742AR1
ON Semiconductor

FOD2742AR1

Част запас: 5188

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
CNW84SD
ON Semiconductor

CNW84SD

Част запас: 5233

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5900Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 0.63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 3.20% @ 10mA,

Списък с желания
CNW11AV2
ON Semiconductor

CNW11AV2

Част запас: 5240

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA,

Списък с желания
HCPL2530SDM
ON Semiconductor

HCPL2530SDM

Част запас: 60228

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 7% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 450ns, 300ns,

Списък с желания
MOCD207R2VM
ON Semiconductor

MOCD207R2VM

Част запас: 167491

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
MCT2SR2M
ON Semiconductor

MCT2SR2M

Част запас: 5307

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 1.5µs,

Списък с желания
MOC8103300
ON Semiconductor

MOC8103300

Част запас: 5196

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 108% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 173% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
HMA121FR1
ON Semiconductor

HMA121FR1

Част запас: 5247

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
H11A617CS
ON Semiconductor

H11A617CS

Част запас: 5277

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време на нарастване / падане (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
H11AA2300W
ON Semiconductor

H11AA2300W

Част запас: 5233

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA,

Списък с желания
HMAA2705AR1
ON Semiconductor

HMAA2705AR1

Част запас: 5236

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
MOC81023SDL
ON Semiconductor

MOC81023SDL

Част запас: 5205

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 73% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 117% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
MOC8105300
ON Semiconductor

MOC8105300

Част запас: 5200

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 65% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 133% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
H11D43SD
ON Semiconductor

H11D43SD

Част запас: 5236

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 10% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания
CNY17F1SR2VM
ON Semiconductor

CNY17F1SR2VM

Част запас: 140557

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 80% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
HCPL2731SDM
ON Semiconductor

HCPL2731SDM

Част запас: 62874

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 1.6mA,

Списък с желания
H11G3M
ON Semiconductor

H11G3M

Част запас: 5262

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 200% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs,

Списък с желания
FOD2741ATV
ON Semiconductor

FOD2741ATV

Част запас: 122013

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
H11G2TVM
ON Semiconductor

H11G2TVM

Част запас: 163026

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs,

Списък с желания
CNY171SR2VM
ON Semiconductor

CNY171SR2VM

Част запас: 167405

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 80% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
H11A617D3SD
ON Semiconductor

H11A617D3SD

Част запас: 5277

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 160% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 320% @ 10mA, Време на нарастване / падане (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
CNW4502
ON Semiconductor

CNW4502

Част запас: 5273

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 19% @ 16mA,

Списък с желания
H11B3
ON Semiconductor

H11B3

Част запас: 109717

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 25µs, 18µs,

Списък с желания
FOD617A
ON Semiconductor

FOD617A

Част запас: 5235

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 80% @ 10mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания