Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

  • У дома
  •  
  • Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход
H11F2300W
ON Semiconductor

H11F2300W

Част запас: 5200

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Време за включване / изключване (тип): 25µs, 25µs (Max),

Списък с желания
CNY174SD
ON Semiconductor

CNY174SD

Част запас: 5227

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 160% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 320% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
H11AA43SD
ON Semiconductor

H11AA43SD

Част запас: 5267

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA,

Списък с желания
FOD817A300W
ON Semiconductor

FOD817A300W

Част запас: 126256

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 80% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 160% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
CNY17F4VM
ON Semiconductor

CNY17F4VM

Част запас: 127592

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 160% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 320% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
FODM2701BR1V
ON Semiconductor

FODM2701BR1V

Част запас: 5252

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
MOC8101300
ON Semiconductor

MOC8101300

Част запас: 5246

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 80% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
MOC8113300W
ON Semiconductor

MOC8113300W

Част запас: 5261

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 4.2µs, 23µs, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 14µs,

Списък с желания
HCPL4503TSR2VM
ON Semiconductor

HCPL4503TSR2VM

Част запас: 51781

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 19% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 250ns, 260ns,

Списък с желания
CNY17F2300
ON Semiconductor

CNY17F2300

Част запас: 5227

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 1µs, 2µs,

Списък с желания
FOD2743BS
ON Semiconductor

FOD2743BS

Част запас: 96346

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 100% @ 1mA,

Списък с желания
HCPL0500R2V
ON Semiconductor

HCPL0500R2V

Част запас: 77623

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 7% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 450ns, 500ns,

Списък с желания
MOC216R2VM
ON Semiconductor

MOC216R2VM

Част запас: 111137

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
FOD2743ASD
ON Semiconductor

FOD2743ASD

Част запас: 5289

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 100% @ 1mA,

Списък с желания
H11AA814A3SD
ON Semiconductor

H11AA814A3SD

Част запас: 5240

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 150% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
CNW11AV3
ON Semiconductor

CNW11AV3

Част запас: 5263

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA,

Списък с желания
MOC8030SD
ON Semiconductor

MOC8030SD

Част запас: 5267

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5300Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 300% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 3.5µs, 95µs,

Списък с желания
H11F3SR2VM
ON Semiconductor

H11F3SR2VM

Част запас: 53885

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Време за включване / изключване (тип): 45µs, 45µs (Max),

Списък с желания
MOC8100SVM
ON Semiconductor

MOC8100SVM

Част запас: 5270

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 30% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 20µs, 20µs (Max), Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
FODM217DR2
ON Semiconductor

FODM217DR2

Част запас: 173354

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 300% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания
FOD817
ON Semiconductor

FOD817

Част запас: 155882

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
HCPL2530SD
ON Semiconductor

HCPL2530SD

Част запас: 66249

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 7% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 450ns, 500ns,

Списък с желания
FODM217BR2
ON Semiconductor

FODM217BR2

Част запас: 193882

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 130% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 260% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания
FODM217B
ON Semiconductor

FODM217B

Част запас: 186974

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 130% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 260% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания
H11D1SM
ON Semiconductor

H11D1SM

Част запас: 72582

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания
FOD8523S
ON Semiconductor

FOD8523S

Част запас: 66027

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 15000% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 100µs, 20µs,

Списък с желания
H11G2SM
ON Semiconductor

H11G2SM

Част запас: 72517

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs,

Списък с желания
HCPL3700S
ON Semiconductor

HCPL3700S

Част запас: 18167

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Време за включване / изключване (тип): 6µs, 25µs, Време на нарастване / падане (тип): 45µs, 0.5µs,

Списък с желания
HCPL0701R2
ON Semiconductor

HCPL0701R2

Част запас: 85358

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 1.6mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 2600% @ 1.6mA, Време за включване / изключване (тип): 300ns, 1.6µs,

Списък с желания
CNY173SR2M
ON Semiconductor

CNY173SR2M

Част запас: 151610

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
FOD817300
ON Semiconductor

FOD817300

Част запас: 119522

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
FODM1008R2
ON Semiconductor

FODM1008R2

Част запас: 199107

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 130% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 260% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 5.7µs, 8.5µs,

Списък с желания
TIL113M
ON Semiconductor

TIL113M

Част запас: 118681

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 300% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs (Max),

Списък с желания
MOC207VM
ON Semiconductor

MOC207VM

Част запас: 192208

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
FOD814
ON Semiconductor

FOD814

Част запас: 124129

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
MOCD207D2M
ON Semiconductor

MOCD207D2M

Част запас: 10807

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 2.8µs, Време на нарастване / падане (тип): 1.6µs, 2.2µs,

Списък с желания