Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
MJL21194G
ON Semiconductor

MJL21194G

Част запас: 14687

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Списък с желания
MJD127G
ON Semiconductor

MJD127G

Част запас: 114431

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Списък с желания
NSS20601CF8T1G
ON Semiconductor

NSS20601CF8T1G

Част запас: 122715

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Списък с желания
TIP126TU
ON Semiconductor

TIP126TU

Част запас: 182284

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

Списък с желания
MJE4343G
ON Semiconductor

MJE4343G

Част запас: 21542

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 750µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V,

Списък с желания
NJW1302G
ON Semiconductor

NJW1302G

Част запас: 27844

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Списък с желания
MJL21193G
ON Semiconductor

MJL21193G

Част запас: 14638

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Списък с желания
KSC2333YTU
ON Semiconductor

KSC2333YTU

Част запас: 194098

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
FJA4313OTU
ON Semiconductor

FJA4313OTU

Част запас: 36806

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 17A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V,

Списък с желания
TIP147FTU
ON Semiconductor

TIP147FTU

Част запас: 39662

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Списък с желания
TIP36AG
ON Semiconductor

TIP36AG

Част запас: 29324

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

Списък с желания
NZT902
ON Semiconductor

NZT902

Част запас: 146710

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 90V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V,

Списък с желания
NSVMSD42WT1G
ON Semiconductor

NSVMSD42WT1G

Част запас: 173136

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MJL21195G
ON Semiconductor

MJL21195G

Част запас: 15487

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Списък с желания
TIP41CTU
ON Semiconductor

TIP41CTU

Част запас: 116243

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 700µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MJF47G
ON Semiconductor

MJF47G

Част запас: 53548

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 200µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Списък с желания
FJPF13007H2TU
ON Semiconductor

FJPF13007H2TU

Част запас: 81424

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

Списък с желания
MJD31C1G
ON Semiconductor

MJD31C1G

Част запас: 166512

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Списък с желания
NJVMJD31CG
ON Semiconductor

NJVMJD31CG

Част запас: 108113

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MJ15022G
ON Semiconductor

MJ15022G

Част запас: 12606

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

Списък с желания
KSE13003TH1ATU
ON Semiconductor

KSE13003TH1ATU

Част запас: 191464

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
SMMBT2222ALT3G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT3G

Част запас: 107789

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MJD243G
ON Semiconductor

MJD243G

Част запас: 89361

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания
MJL4281AG
ON Semiconductor

MJL4281AG

Част запас: 11732

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

Списък с желания
MJ21196G
ON Semiconductor

MJ21196G

Част запас: 17431

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 16A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

Списък с желания
TIP111TU
ON Semiconductor

TIP111TU

Част запас: 180188

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Списък с желания
MJ15015G
ON Semiconductor

MJ15015G

Част запас: 12020

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V,

Списък с желания
MJL1302AG
ON Semiconductor

MJL1302AG

Част запас: 20570

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 260V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V,

Списък с желания
KSD1588YTU
ON Semiconductor

KSD1588YTU

Част запас: 74035

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Списък с желания
KSB834WYTM
ON Semiconductor

KSB834WYTM

Част запас: 151038

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
NJVNJD35N04G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04G

Част запас: 183335

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Списък с желания
TIP47G
ON Semiconductor

TIP47G

Част запас: 109297

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Списък с желания
NJW0281G
ON Semiconductor

NJW0281G

Част запас: 27913

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Списък с желания
MJE2955TG
ON Semiconductor

MJE2955TG

Част запас: 79642

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 700µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Списък с желания
MJ4502G
ON Semiconductor

MJ4502G

Част запас: 17217

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V,

Списък с желания
TIP30CG
ON Semiconductor

TIP30CG

Част запас: 128525

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 300µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Списък с желания