Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
SBC817-25LT1G
ON Semiconductor

SBC817-25LT1G

Част запас: 187440

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MJE703G
ON Semiconductor

MJE703G

Част запас: 111033

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Списък с желания
TIP115G
ON Semiconductor

TIP115G

Част запас: 151801

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Списък с желания
TIP110TU
ON Semiconductor

TIP110TU

Част запас: 90486

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Списък с желания
MMBT2222ALT3G
ON Semiconductor

MMBT2222ALT3G

Част запас: 136081

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
FSB649
ON Semiconductor

FSB649

Част запас: 146462

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Списък с желания
TIP147T
ON Semiconductor

TIP147T

Част запас: 67883

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Списък с желания
MJE5731AG
ON Semiconductor

MJE5731AG

Част запас: 64820

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 375V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Списък с желания
TIP29
ON Semiconductor

TIP29

Част запас: 129215

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 300µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Списък с желания
MJD210G
ON Semiconductor

MJD210G

Част запас: 128479

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Списък с желания
NJVMJB44H11T4G
ON Semiconductor

NJVMJB44H11T4G

Част запас: 79019

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
TIP42BG
ON Semiconductor

TIP42BG

Част запас: 116245

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 700µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MMBT2222ALT1G
ON Semiconductor

MMBT2222ALT1G

Част запас: 104479

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
FJPF3305H1TU
ON Semiconductor

FJPF3305H1TU

Част запас: 87209

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V,

Списък с желания
MJE200G
ON Semiconductor

MJE200G

Част запас: 135634

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

Списък с желания
PCP1203-TD-H
ON Semiconductor

PCP1203-TD-H

Част запас: 103709

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
D44H8G
ON Semiconductor

D44H8G

Част запас: 81380

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
KSA733CGBU
ON Semiconductor

KSA733CGBU

Част запас: 117002

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V,

Списък с желания
FSB560A
ON Semiconductor

FSB560A

Част запас: 159471

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
NJVMJD45H11G
ON Semiconductor

NJVMJD45H11G

Част запас: 176198

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
MJB5742T4G
ON Semiconductor

MJB5742T4G

Част запас: 43566

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V,

Списък с желания
MJD42CG
ON Semiconductor

MJD42CG

Част запас: 120113

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
NJW0302G
ON Semiconductor

NJW0302G

Част запас: 33841

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

Списък с желания
SFT1202-TL-E
ON Semiconductor

SFT1202-TL-E

Част запас: 176025

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MJE5850G
ON Semiconductor

MJE5850G

Част запас: 25633

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

Списък с желания
TIP32ATU
ON Semiconductor

TIP32ATU

Част запас: 118130

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 200µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Списък с желания
TIP33CG
ON Semiconductor

TIP33CG

Част запас: 43349

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 2.5A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 700µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V,

Списък с желания
NSV40200UW6T1G
ON Semiconductor

NSV40200UW6T1G

Част запас: 183018

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

Списък с желания
MMBT3904T
ON Semiconductor

MMBT3904T

Част запас: 141505

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания
MJD253-1G
ON Semiconductor

MJD253-1G

Част запас: 157963

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

Списък с желания
FJA4210OTU
ON Semiconductor

FJA4210OTU

Част запас: 51872

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 140V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MJF15031G
ON Semiconductor

MJF15031G

Част запас: 42178

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

Списък с желания
KSD363YTU
ON Semiconductor

KSD363YTU

Част запас: 191247

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V,

Списък с желания
KSE45H11
ON Semiconductor

KSE45H11

Част запас: 89397

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V,

Списък с желания
SBC847BWT1G
ON Semiconductor

SBC847BWT1G

Част запас: 106587

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
NJVMJD44H11G
ON Semiconductor

NJVMJD44H11G

Част запас: 174754

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания