Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
MPSA75RLRP
ON Semiconductor

MPSA75RLRP

Част запас: 6455

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
FJPF9020TU
ON Semiconductor

FJPF9020TU

Част запас: 6149

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 550V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 4V,

Списък с желания
MPSW63RLRAG
ON Semiconductor

MPSW63RLRAG

Част запас: 6453

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MCH3209-TL-E
ON Semiconductor

MCH3209-TL-E

Част запас: 171552

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 155mV @ 75mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MPS2907ARL
ON Semiconductor

MPS2907ARL

Част запас: 6715

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
FJP5200RTU
ON Semiconductor

FJP5200RTU

Част запас: 41847

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 17A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

Списък с желания
CPH3205-TL-E
ON Semiconductor

CPH3205-TL-E

Част запас: 183121

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Списък с желания
MMBT2369ALT3G
ON Semiconductor

MMBT2369ALT3G

Част запас: 6721

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 400nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MJD42C
ON Semiconductor

MJD42C

Част запас: 6413

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MPSL51_D26Z
ON Semiconductor

MPSL51_D26Z

Част запас: 6541

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
MPS2369AG
ON Semiconductor

MPS2369AG

Част запас: 6372

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 400nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
KSC5039FTU
ON Semiconductor

KSC5039FTU

Част запас: 6150

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V,

Списък с желания
MMBT4401_D87Z
ON Semiconductor

MMBT4401_D87Z

Част запас: 6492

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Списък с желания
NSVMMBT5087LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT5087LT1G

Част запас: 116119

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Списък с желания
MPSA13_D27Z
ON Semiconductor

MPSA13_D27Z

Част запас: 6461

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MMBT2222AT
ON Semiconductor

MMBT2222AT

Част запас: 155987

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Списък с желания
S2SC4617G
ON Semiconductor

S2SC4617G

Част запас: 181310

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Списък с желания
MPSW06G
ON Semiconductor

MPSW06G

Част запас: 6390

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 250mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 250mA, 1V,

Списък с желания
MPSA93RLRM
ON Semiconductor

MPSA93RLRM

Част запас: 6427

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
FJP3305TU
ON Semiconductor

FJP3305TU

Част запас: 6103

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 19 @ 1A, 5V,

Списък с желания
KSC2334RTU
ON Semiconductor

KSC2334RTU

Част запас: 6103

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V,

Списък с желания
KSH112GTM_NB82051
ON Semiconductor

KSH112GTM_NB82051

Част запас: 6523

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Списък с желания
KSC2751RTU
ON Semiconductor

KSC2751RTU

Част запас: 6128

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V,

Списък с желания
MJD340
ON Semiconductor

MJD340

Част запас: 6390

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
MPS6534_D26Z
ON Semiconductor

MPS6534_D26Z

Част запас: 6521

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MPSA05RLRAG
ON Semiconductor

MPSA05RLRAG

Част запас: 6091

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
NJVMJD44H11D3T4G
ON Semiconductor

NJVMJD44H11D3T4G

Част запас: 13113

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Списък с желания
MPS2222AG
ON Semiconductor

MPS2222AG

Част запас: 6385

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MJD42C1
ON Semiconductor

MJD42C1

Част запас: 6355

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Списък с желания
MPSL51_D75Z
ON Semiconductor

MPSL51_D75Z

Част запас: 6564

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
MPS8599RLRMG
ON Semiconductor

MPS8599RLRMG

Част запас: 6402

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
KSC5504DTTU
ON Semiconductor

KSC5504DTTU

Част запас: 6113

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4 @ 2A, 1V,

Списък с желания
MMJT350T1
ON Semiconductor

MMJT350T1

Част запас: 6404

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
MJD128T4G
ON Semiconductor

MJD128T4G

Част запас: 158728

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Списък с желания
MMBTA43LT1G
ON Semiconductor

MMBTA43LT1G

Част запас: 6389

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MJW21192
ON Semiconductor

MJW21192

Част запас: 6338

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Списък с желания