Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични
NSVBC858CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC858CLT1G

Част запас: 178054

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Списък с желания
KSA1010OTU
ON Semiconductor

KSA1010OTU

Част запас: 6097

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 7A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 5V,

Списък с желания
MPSA06_D27Z
ON Semiconductor

MPSA06_D27Z

Част запас: 6509

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MPSA43ZL1G
ON Semiconductor

MPSA43ZL1G

Част запас: 6728

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Списък с желания
FJPF5021RTSTU
ON Semiconductor

FJPF5021RTSTU

Част запас: 6095

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 500V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Списък с желания
MSD1328-ST1G
ON Semiconductor

MSD1328-ST1G

Част запас: 6464

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
MPSA55G
ON Semiconductor

MPSA55G

Част запас: 6382

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MPSA44RLRAG
ON Semiconductor

MPSA44RLRAG

Част запас: 6109

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

Списък с желания
TIP140TU
ON Semiconductor

TIP140TU

Част запас: 6147

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Списък с желания
MPSA92_D27Z
ON Semiconductor

MPSA92_D27Z

Част запас: 6517

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MPS8098_D27Z
ON Semiconductor

MPS8098_D27Z

Част запас: 6483

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
MMBTA20LT1G
ON Semiconductor

MMBTA20LT1G

Част запас: 6366

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
FJP5021OVTU
ON Semiconductor

FJP5021OVTU

Част запас: 6684

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 500V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Списък с желания
MMBTA56_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA56_D87Z

Част запас: 6454

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Списък с желания
MJ11022
ON Semiconductor

MJ11022

Част запас: 6332

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

Списък с желания
MJ11030G
ON Semiconductor

MJ11030G

Част запас: 6380

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 90V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V,

Списък с желания
NSS20501UW3TBG
ON Semiconductor

NSS20501UW3TBG

Част запас: 111556

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

Списък с желания
MPSA92_D75Z
ON Semiconductor

MPSA92_D75Z

Част запас: 6549

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
NSS40601CF8T1G
ON Semiconductor

NSS40601CF8T1G

Част запас: 118178

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Списък с желания
MSB710-RT1
ON Semiconductor

MSB710-RT1

Част запас: 6452

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Списък с желания
MPSA12G
ON Semiconductor

MPSA12G

Част запас: 6457

Тип транзистор: NPN - Darlington, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
MPS3702_D27Z
ON Semiconductor

MPS3702_D27Z

Част запас: 6486

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
FJP5027R
ON Semiconductor

FJP5027R

Част запас: 6125

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 800V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

Списък с желания
MPSW55G
ON Semiconductor

MPSW55G

Част запас: 6403

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

Списък с желания
MPSA20_D27Z
ON Semiconductor

MPSA20_D27Z

Част запас: 6513

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
MPSW45RLRE
ON Semiconductor

MPSW45RLRE

Част запас: 6440

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V,

Списък с желания
TIP106
ON Semiconductor

TIP106

Част запас: 6478

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Списък с желания
FJP5304D
ON Semiconductor

FJP5304D

Част запас: 6073

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Списък с желания
KSE13003H3ASTU
ON Semiconductor

KSE13003H3ASTU

Част запас: 6497

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 19 @ 500mA, 2V,

Списък с желания
FJP13007H1TU
ON Semiconductor

FJP13007H1TU

Част запас: 90440

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

Списък с желания
MPSA12
ON Semiconductor

MPSA12

Част запас: 6443

Тип транзистор: NPN - Darlington, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
MMBT6520LT3
ON Semiconductor

MMBT6520LT3

Част запас: 6425

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Списък с желания
MPSA93_D74Z
ON Semiconductor

MPSA93_D74Z

Част запас: 6510

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Списък с желания
MPSA13_D26Z
ON Semiconductor

MPSA13_D26Z

Част запас: 6551

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Списък с желания
MPS6729
ON Semiconductor

MPS6729

Част запас: 6391

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

Списък с желания
MPS2907AZL1
ON Semiconductor

MPS2907AZL1

Част запас: 6403

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания