Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 2

BAV70,LM

Част запас: 3367

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 215mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

Част запас: 3300

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

Част запас: 3315

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 215mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

Част запас: 151

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

Част запас: 111

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 10V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

Част запас: 99

Диодна конфигурация: 2 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

Част запас: 125

Диодна конфигурация: 2 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

Част запас: 196401

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

Част запас: 12490

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

Част запас: 146

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

Част запас: 10959

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

Част запас: 109

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

Част запас: 106201

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 140mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

Част запас: 105421

Диодна конфигурация: 2 Pair CA + CC, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

Част запас: 159197

Диодна конфигурация: 2 Pair CA + CC, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

Част запас: 171499

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 215mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

Част запас: 8001

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 12A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

Част запас: 7444

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

Част запас: 191091

Диодна конфигурация: 2 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

Част запас: 124987

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

Част запас: 130979

Диодна конфигурация: 2 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

Част запас: 4548

Диодна конфигурация: 2 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

Част запас: 166431

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 80mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

Част запас: 170816

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

Част запас: 16260

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

Част запас: 191404

Диодна конфигурация: 2 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

Част запас: 127689

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 215mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

Част запас: 4160

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

Част запас: 4087

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

Част запас: 3899

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

Част запас: 120020

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

Част запас: 167920

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания