Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари
RN2104(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104(T5L,F,T)

Част запас: 2145

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402,LF

Част запас: 90

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2413TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2413TE85LF

Част запас: 186078

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN2119MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2119MFV(TPL3)

Част запас: 2192

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

Част запас: 178191

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

Част запас: 171892

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

Част запас: 189

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

Част запас: 146891

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

Част запас: 81

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1105,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105,LF(CT

Част запас: 162509

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117MFV,L3F

Част запас: 165156

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2111MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV,L3F

Част запас: 146

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN1310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1310(TE85L,F)

Част запас: 2124

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN2309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2309(TE85L,F)

Част запас: 2193

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2114(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114(TE85L,F)

Част запас: 128

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2130MFV,L3F

Част запас: 188

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

Част запас: 102439

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN2311(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2311(TE85L,F)

Част запас: 3308

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2306,LF

Част запас: 166487

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1110(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110(T5L,F,T)

Част запас: 3223

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN2312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2312(TE85L,F)

Част запас: 147502

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN1412TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1412TE85LF

Част запас: 2025

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN2105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105MFV,L3F

Част запас: 1951

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1404S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404S,LF

Част запас: 135884

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF

Част запас: 1906

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110CT(TPL3)

Част запас: 3274

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

Част запас: 3264

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2101,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

Част запас: 123572

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2307(TE85L,F)

Част запас: 1971

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

Част запас: 197244

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112CT(TPL3)

Част запас: 3192

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102CT(TPL3)

Част запас: 1945

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1109(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109(T5L,F,T)

Част запас: 3219

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

Част запас: 1973

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106CT(TPL3)

Част запас: 1960

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118(T5L,F,T)

Част запас: 1923

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Списък с желания