Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

У дома
Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA,E

Част запас: 50525

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGB,E

Част запас: 50524

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP292-4(V4LATRE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATRE

Част запас: 151683

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP292-4(V4-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-TR,E

Част запас: 151713

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP632(GB,F)

Част запас: 46966

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP387(TPL,E

Част запас: 9942

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 50µs, 15µs, Време на нарастване / падане (тип): 40µs, 15µs,

Списък с желания

TLP388(D4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4-TPL,E

Част запас: 9999

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2303(TPL,E

Част запас: 179534

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 5mA,

Списък с желания

TLP292-4(V4LGB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LGB,E

Част запас: 50568

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB,SE

Част запас: 159226

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 400% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 7µs, 7µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 7µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP631(F)

Част запас: 2606

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP184(BL-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(BL-TPL,SE

Част запас: 117114

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 200% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP293-4(LA-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LA-TP,E

Част запас: 160464

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP292-4(LGBTR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTR,E

Част запас: 151734

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2530(F)

Част запас: 41674

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 7% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 300ns, 500ns,

Списък с желания

TLP388(D4GB-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4GB-TL,E

Част запас: 9996

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GR,F)

Част запас: 135682

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP292-4(V4LATPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4LATPE

Част запас: 151689

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP293-4(V4-GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-GB,E

Част запас: 53541

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GB,E

Част запас: 53544

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP293-4(V4-TP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TP,E

Част запас: 160451

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP184(GR-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR-TPL,SE

Част запас: 109314

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TP,E

Част запас: 151729

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP292-4(V4GBTRE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4GBTRE

Част запас: 151698

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(TPR,E

Част запас: 151687

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP293-4(V4-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-TR,E

Част запас: 160497

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP292-4(4LGBTRE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTRE

Част запас: 151724

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(F)

Част запас: 135607

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP559(F)

Част запас: 25416

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 200ns, 300ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(E)

Част запас: 106154

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 400% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 9µs, 9µs, Време на нарастване / падане (тип): 5µs, 9µs,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(E

Част запас: 53477

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP293-4(V4LATPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4LATPE

Част запас: 160515

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP292-4(LA-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LA-TR,E

Част запас: 151681

Брой канали: 4, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP293(BLL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BLL-TPL,E

Част запас: 173727

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 200% @ 500µA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 400% @ 500µA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 3µs,

Списък с желания

TLP109(IGM-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(IGM-TPR,E

Част запас: 9983

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 25% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 75% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 450ns, 450ns,

Списък с желания

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(F)

Част запас: 46370

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 1200% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 10µs, 8µs, Време на нарастване / падане (тип): 8µs, 8µs,

Списък с желания

391

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»