Menu
Български езикБългарски език
0Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
APTGT150SK120G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120G

Част запас: 884

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT50TL601G
Microsemi Corporation

APTGT50TL601G

Част запас: 1364

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT100DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

Част запас: 857

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 560W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT100GT120JU3
Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

Част запас: 2103

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGL180A1202G
Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

Част запас: 876

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT200TL60G
Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

Част запас: 424

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300A, Мощност - Макс: 652W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGF150DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

Част запас: 79

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT300SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

Част запас: 713

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 940W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT400A60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

Част запас: 530

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500A, Мощност - Макс: 1250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGT300A60TG
Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

Част запас: 697

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 430A, Мощност - Макс: 935W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT300A170G
Microsemi Corporation

APTGT300A170G

Част запас: 353

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1660W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT50X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

Част запас: 1363

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT75GT120JRDQ3
Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

Част запас: 1870

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 97A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT50GF60JU2
Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

Част запас: 3168

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT150GT120JR
Microsemi Corporation

APT150GT120JR

Част запас: 1450

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 170A, Мощност - Макс: 830W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APT75GT120JU2
Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

Част запас: 2315

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT65GP60J
Microsemi Corporation

APT65GP60J

Част запас: 2051

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 130A, Мощност - Макс: 431W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

Списък с желания
APT35GP120J
Microsemi Corporation

APT35GP120J

Част запас: 1978

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 64A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

Списък с желания
APTGT75TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

Част запас: 1060

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT600U120D4G
Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

Част запас: 398

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 900A, Мощност - Макс: 2500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APT70GR120JD60
Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

Част запас: 1895

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 112A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Списък с желания
APTGT100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

Част запас: 1009

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

Част запас: 1227

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT50SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

Част запас: 1368

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT45GP120J
Microsemi Corporation

APT45GP120J

Част запас: 2085

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 329W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

Списък с желания
APT46GA90JD40
Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

Част запас: 2422

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 900V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 87A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

Списък с желания
APT80GP60J
Microsemi Corporation

APT80GP60J

Част запас: 1872

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 151A, Мощност - Макс: 462W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

Списък с желания
APTGT600U170D4G
Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

Част запас: 424

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1100A, Мощност - Макс: 2900W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APT150GN120J
Microsemi Corporation

APT150GN120J

Част запас: 1837

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 215A, Мощност - Макс: 625W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTCV60TLM70T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM70T3G

Част запас: 3129

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTCV60TLM24T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM24T3G

Част запас: 835

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT150GN60J
Microsemi Corporation

APT150GN60J

Част запас: 2460

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 536W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APT50GLQ65JU2
Microsemi Corporation

APT50GLQ65JU2

Част запас: 758

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 220W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APT100GN120J
Microsemi Corporation

APT100GN120J

Част запас: 2064

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 153A, Мощност - Макс: 446W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT200GT60JR
Microsemi Corporation

APT200GT60JR

Част запас: 1912

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 195A, Мощност - Макс: 500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APT100GT60JR
Microsemi Corporation

APT100GT60JR

Част запас: 2919

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 148A, Мощност - Макс: 500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Списък с желания