Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

  • У дома
  •  
  • Транзистори - IGBT - Модули
APT100GT120JR
Microsemi Corporation

APT100GT120JR

Част запас: 1736

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 123A, Мощност - Макс: 570W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT100GT60JRDQ4
Microsemi Corporation

APT100GT60JRDQ4

Част запас: 2045

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 148A, Мощност - Макс: 500W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGF90H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90H60T3G

Част запас: 1085

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT100GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT100GN120JDQ4

Част запас: 1595

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 153A, Мощност - Макс: 446W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT50GF120JRDQ3
Microsemi Corporation

APT50GF120JRDQ3

Част запас: 1110

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Мощност - Макс: 521W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APT100GT120JRDQ4
Microsemi Corporation

APT100GT120JRDQ4

Част запас: 1462

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 123A, Мощност - Макс: 570W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT60GF120JRDQ3
Microsemi Corporation

APT60GF120JRDQ3

Част запас: 910

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 149A, Мощност - Макс: 625W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APT60GA60JD60
Microsemi Corporation

APT60GA60JD60

Част запас: 2217

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 112A, Мощност - Макс: 356W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A,

Списък с желания
APT45GP120JDQ2
Microsemi Corporation

APT45GP120JDQ2

Част запас: 1797

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 329W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

Списък с желания
APTGL700SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL700SK120D3G

Част запас: 657

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 840A, Мощност - Макс: 3000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APTGT300SK60G
Microsemi Corporation

APTGT300SK60G

Част запас: 974

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 430A, Мощност - Макс: 1150W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT300DU120G
Microsemi Corporation

APTGT300DU120G

Част запас: 642

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 420A, Мощност - Макс: 1380W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT150DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU120TG

Част запас: 1106

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT35H120T3G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T3G

Част запас: 1698

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 55A, Мощност - Макс: 208W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A,

Списък с желания
APTGT100TA120TPG
Microsemi Corporation

APTGT100TA120TPG

Част запас: 574

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGLQ25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGLQ25H120T2G

Част запас: 324

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 165W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A,

Списък с желания
APTGT200A602G
Microsemi Corporation

APTGT200A602G

Част запас: 1730

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 290A, Мощност - Макс: 625W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGT300DA60D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA60D3G

Част запас: 1121

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 940W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGT100DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA60T1G

Част запас: 2638

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT300DU60G
Microsemi Corporation

APTGT300DU60G

Част запас: 576

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 430A, Мощност - Макс: 1150W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTCV60HM45BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM45BT3G

Част запас: 1224

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Списък с желания
APTGT750U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT750U60D4G

Част запас: 762

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1000A, Мощност - Макс: 2300W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A,

Списък с желания
APTGT100A120TG
Microsemi Corporation

APTGT100A120TG

Част запас: 1335

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 140A, Мощност - Макс: 480W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGTQ100SK65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ100SK65T1G

Част запас: 313

Конфигурация: Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGL240TL120G
Microsemi Corporation

APTGL240TL120G

Част запас: 511

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Level Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 305A, Мощност - Макс: 1000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Списък с желания
APTGLQ150A120TG
Microsemi Corporation

APTGLQ150A120TG

Част запас: 304

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 250A, Мощност - Макс: 750W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGT600DU60G
Microsemi Corporation

APTGT600DU60G

Част запас: 478

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700A, Мощност - Макс: 2300W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APTGT75SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT75SK120TG

Част запас: 1741

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT600SK60G
Microsemi Corporation

APTGT600SK60G

Част запас: 634

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700A, Мощност - Макс: 2300W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Списък с желания
APTGT400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGT400U120D4G

Част запас: 686

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600A, Мощност - Макс: 2250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Списък с желания
APTGT150DU120G
Microsemi Corporation

APTGT150DU120G

Част запас: 806

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 690W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Списък с желания
APTGLQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100A65T1G

Част запас: 1211

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 350W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

Списък с желания
APTGT300DA60G
Microsemi Corporation

APTGT300DA60G

Част запас: 1016

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 430A, Мощност - Макс: 1150W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A,

Списък с желания
APTGLQ200HR120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200HR120G

Част запас: 726

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300A, Мощност - Макс: 1000W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Списък с желания
APTGT75H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75H60T1G

Част запас: 1184

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Списък с желания
APTGT300DU170G
Microsemi Corporation

APTGT300DU170G

Част запас: 302

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400A, Мощност - Макс: 1660W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Списък с желания