Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - JFET

MMBF4393LT3G
ON Semiconductor

MMBF4393LT3G

Част запас: 107197

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

Списък с желания
J108_D74Z
ON Semiconductor

J108_D74Z

Част запас: 3438

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

Списък с желания
J105_D74Z
ON Semiconductor

J105_D74Z

Част запас: 5423

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4.5V @ 1µA,

Списък с желания
KSK596CBU
ON Semiconductor

KSK596CBU

Част запас: 3378

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

Списък с желания
PN4117_D26Z
ON Semiconductor

PN4117_D26Z

Част запас: 3452

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1nA,

Списък с желания
MMBF5484LT1G
ON Semiconductor

MMBF5484LT1G

Част запас: 3371

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 10nA,

Списък с желания
J110RLRAG
ON Semiconductor

J110RLRAG

Част запас: 3370

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

Списък с желания
J177
ON Semiconductor

J177

Част запас: 3368

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

Списък с желания
J110_D75Z
ON Semiconductor

J110_D75Z

Част запас: 3418

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

Списък с желания
PN4302
ON Semiconductor

PN4302

Част запас: 3352

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1nA,

Списък с желания
J112
ON Semiconductor

J112

Част запас: 143677

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

Списък с желания
J108_D27Z
ON Semiconductor

J108_D27Z

Част запас: 3357

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

Списък с желания
PN4119
ON Semiconductor

PN4119

Част запас: 3372

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

Списък с желания
PN4091
ON Semiconductor

PN4091

Част запас: 3358

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 1nA,

Списък с желания
FJN598JBBU
ON Semiconductor

FJN598JBBU

Част запас: 3487

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

Списък с желания
TF262TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF262TH-4-TL-H

Част запас: 3436

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 1µA,

Списък с желания
PN4118
ON Semiconductor

PN4118

Част запас: 3353

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,

Списък с желания
PN4117A_J61Z
ON Semiconductor

PN4117A_J61Z

Част запас: 3442

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1nA,

Списък с желания
MMBFJ177LT1
ON Semiconductor

MMBFJ177LT1

Част запас: 3506

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

Списък с желания
TF202THC-3-TL-H
ON Semiconductor

TF202THC-3-TL-H

Част запас: 3405

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 1µA,

Списък с желания
MMBFJ175
ON Semiconductor

MMBFJ175

Част запас: 118669

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

Списък с желания
MMBF4393
ON Semiconductor

MMBF4393

Част запас: 133700

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

Списък с желания
TF414T5G
ON Semiconductor

TF414T5G

Част запас: 139739

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1µA,

Списък с желания
PN4393_D26Z
ON Semiconductor

PN4393_D26Z

Част запас: 3434

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

Списък с желания
MMBF5103
ON Semiconductor

MMBF5103

Част запас: 120554

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.2V @ 1nA,

Списък с желания
MMBFU310LT1G
ON Semiconductor

MMBFU310LT1G

Част запас: 155085

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 1nA,

Списък с желания
PN5432
ON Semiconductor

PN5432

Част запас: 3377

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 3nA,

Списък с желания
J175
ON Semiconductor

J175

Част запас: 3377

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

Списък с желания
MMBF4092
ON Semiconductor

MMBF4092

Част запас: 199131

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

Списък с желания
J105
ON Semiconductor

J105

Част запас: 96371

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4.5V @ 1µA,

Списък с желания
FJN598JCBU
ON Semiconductor

FJN598JCBU

Част запас: 3390

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

Списък с желания
J174_D27Z
ON Semiconductor

J174_D27Z

Част запас: 3440

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10nA,

Списък с желания
EC3A03B-TL-H
ON Semiconductor

EC3A03B-TL-H

Част запас: 3447

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 20V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.5V @ 1µA,

Списък с желания
KSK596PCWD
ON Semiconductor

KSK596PCWD

Част запас: 3392

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

Списък с желания
MMBF5458
ON Semiconductor

MMBF5458

Част запас: 132490

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

Списък с желания
MMBF4119
ON Semiconductor

MMBF4119

Част запас: 167525

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

Списък с желания