Транзистори - JFET

BF246B_J35Z

Част запас: 3444

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 10nA,

BSR58LT1G

Част запас: 3366

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 1µA,

BFR31LT1G

Част запас: 3431

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31LT1

Част запас: 3382

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR30LT1

Част запас: 3407

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30LT1G

Част запас: 3448

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BF247A

Част запас: 224

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246A

Част запас: 3378

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

BSR56

Част запас: 141206

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BSR58

Част запас: 100259

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

J110

Част запас: 3443

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF256-3-TL-H

Част запас: 3442

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 100mV @ 1µA,

J176

Част запас: 3350

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

P1086

Част запас: 3437

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 1µA,

TIS75_D75Z

Част запас: 3417

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 4nA,

MMBF4393LT1G

Част запас: 192269

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4092_D27Z

Част запас: 3371

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

J112RL1

Част запас: 3450

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

J174_D75Z

Част запас: 3371

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10nA,

MMBF5462

Част запас: 130781

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.8V @ 1µA,

PN4391_D75Z

Част запас: 3487

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1nA,

EC3A04B-3-TL-H

Част запас: 3434

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

PF5102

Част запас: 128618

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 700mV @ 1nA,

SMMBFJ175LT1G

Част запас: 109822

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

TIS75_J35Z

Част запас: 3466

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 4nA,

PN4392_D75Z

Част запас: 3431

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

TF202THC-L5-TL-H

Част запас: 3450

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 1µA,

J106

Част запас: 85192

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1µA,

TF202THC-3-TL-HX

Част запас: 3407

J111RLRAG

Част запас: 3387

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1µA,

PF5103

Част запас: 3363

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.2V @ 1nA,

MCH3914-8-TL-H

Част запас: 186655

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 10µA,

MMBFU310LT1

Част запас: 3484

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 1nA,

MMBFJ177

Част запас: 174507

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF5460

Част запас: 135969

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 750mV @ 1µA,

TIS75

Част запас: 3355

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 4nA,