Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - JFET

MMBF5457
ON Semiconductor

MMBF5457

Част запас: 139477

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

Списък с желания
KSK596ABU
ON Semiconductor

KSK596ABU

Част запас: 3426

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

Списък с желания
J107_D75Z
ON Semiconductor

J107_D75Z

Част запас: 3429

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

Списък с желания
TF256-4-TL-H
ON Semiconductor

TF256-4-TL-H

Част запас: 3437

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 100mV @ 1µA,

Списък с желания
J113_D75Z
ON Semiconductor

J113_D75Z

Част запас: 3347

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

Списък с желания
MMBF4391LT1
ON Semiconductor

MMBF4391LT1

Част запас: 3327

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 10nA,

Списък с желания
J111
ON Semiconductor

J111

Част запас: 140866

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1µA,

Списък с желания
FJZ594JBTF
ON Semiconductor

FJZ594JBTF

Част запас: 3424

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

Списък с желания
J112-D27Z
ON Semiconductor

J112-D27Z

Част запас: 13297

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

Списък с желания
NSVJ3910SB3T1G
ON Semiconductor

NSVJ3910SB3T1G

Част запас: 135901

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

Списък с желания
J177_D74Z
ON Semiconductor

J177_D74Z

Част запас: 3365

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

Списък с желания
J113
ON Semiconductor

J113

Част запас: 138166

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

Списък с желания
PN4091_D26Z
ON Semiconductor

PN4091_D26Z

Част запас: 3400

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 1nA,

Списък с желания