Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход

  • У дома
  •  
  • Оптоизолатори - транзистор, фотоволтаичен изход
FOD2741BSDV
ON Semiconductor

FOD2741BSDV

Част запас: 116033

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
FOD2741A
ON Semiconductor

FOD2741A

Част запас: 43867

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
FOD2712A
ON Semiconductor

FOD2712A

Част запас: 56799

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
H11A1M
ON Semiconductor

H11A1M

Част запас: 5239

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
MOCD208M
ON Semiconductor

MOCD208M

Част запас: 70499

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 7.5µs, 5.7µs, Време на нарастване / падане (тип): 3.2µs, 4.7µs,

Списък с желания
CNY171SM
ON Semiconductor

CNY171SM

Част запас: 111006

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 40% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 80% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
CNY173M
ON Semiconductor

CNY173M

Част запас: 120142

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
FOD852300W
ON Semiconductor

FOD852300W

Част запас: 199270

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 15000% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 100µs, 20µs,

Списък с желания
CNY172SM
ON Semiconductor

CNY172SM

Част запас: 198977

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
H11D1M
ON Semiconductor

H11D1M

Част запас: 174127

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания
MOC8050SR2M
ON Semiconductor

MOC8050SR2M

Част запас: 119751

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 8.5µs, 95µs,

Списък с желания
MOCD223R2VM
ON Semiconductor

MOCD223R2VM

Част запас: 140379

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 500% @ 1mA, Време за включване / изключване (тип): 10µs, 125µs, Време на нарастване / падане (тип): 8µs, 110µs,

Списък с желания
FOD817D300W
ON Semiconductor

FOD817D300W

Част запас: 126327

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 300% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
H11AV1SM
ON Semiconductor

H11AV1SM

Част запас: 78742

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 300% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 15µs, 15µs (Max),

Списък с желания
H11AA1M
ON Semiconductor

H11AA1M

Част запас: 76315

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA,

Списък с желания
FOD050LR2
ON Semiconductor

FOD050LR2

Част запас: 80083

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 15% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 1µs, 1µs (Max),

Списък с желания
MCT5210M
ON Semiconductor

MCT5210M

Част запас: 59622

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 70% @ 3mA, Време за включване / изключване (тип): 10µs, 400ns,

Списък с желания
CNY17F2VM
ON Semiconductor

CNY17F2VM

Част запас: 136248

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 63% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 125% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3.5µs (Max),

Списък с желания
FOD852
ON Semiconductor

FOD852

Част запас: 66028

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 15000% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 100µs, 20µs,

Списък с желания
MCT6S
ON Semiconductor

MCT6S

Част запас: 73298

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
H11G2SR2M
ON Semiconductor

H11G2SR2M

Част запас: 197758

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs,

Списък с желания
FOD817C3S
ON Semiconductor

FOD817C3S

Част запас: 117326

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 200% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 400% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 4µs, 3µs,

Списък с желания
MCT2EM
ON Semiconductor

MCT2EM

Част запас: 114471

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs, Време на нарастване / падане (тип): 2µs, 1.5µs,

Списък с желания
H11A1SR2M
ON Semiconductor

H11A1SR2M

Част запас: 139413

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 2µs, 2µs,

Списък с желания
H11G2M
ON Semiconductor

H11G2M

Част запас: 71839

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 100µs,

Списък с желания
H11AA4SM
ON Semiconductor

H11AA4SM

Част запас: 71816

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA,

Списък с желания
FOD2741BSD
ON Semiconductor

FOD2741BSD

Част запас: 118876

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 100% @ 10mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 200% @ 10mA,

Списък с желания
MCT9001
ON Semiconductor

MCT9001

Част запас: 68468

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 600% @ 5mA, Време за включване / изключване (тип): 3µs, 3µs, Време на нарастване / падане (тип): 2.4µs, 2.4µs,

Списък с желания
H11F1SR2M
ON Semiconductor

H11F1SR2M

Част запас: 48316

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 7500Vpk, Време за включване / изключване (тип): 45µs, 45µs (Max),

Списък с желания
FOD852300
ON Semiconductor

FOD852300

Част запас: 66001

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 1000% @ 1mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 15000% @ 1mA, Време на нарастване / падане (тип): 100µs, 20µs,

Списък с желания
HCPL2531V
ON Semiconductor

HCPL2531V

Част запас: 68904

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 19% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 450ns, 300ns,

Списък с желания
FODM1009R2
ON Semiconductor

FODM1009R2

Част запас: 117811

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 5000Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 200% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 400% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 5.7µs, 8.5µs,

Списък с желания
FODM121BR2
ON Semiconductor

FODM121BR2

Част запас: 123034

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 3750Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 50% @ 5mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 150% @ 5mA, Време на нарастване / падане (тип): 3µs, 3µs,

Списък с желания
FOD053LR2
ON Semiconductor

FOD053LR2

Част запас: 49759

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 15% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 1µs, 1µs (Max),

Списък с желания
HCPL0531R2
ON Semiconductor

HCPL0531R2

Част запас: 51607

Брой канали: 2, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 19% @ 16mA, Съотношение на текущия трансфер (макс.): 50% @ 16mA, Време за включване / изключване (тип): 450ns, 300ns,

Списък с желания
H11D3SR2M
ON Semiconductor

H11D3SR2M

Част запас: 199642

Брой канали: 1, Напрежение - Изолация: 4170Vrms, Съотношение на текущия трансфер (мин.): 20% @ 10mA, Време за включване / изключване (тип): 5µs, 5µs,

Списък с желания